參數(shù)資料
型號(hào): PZT3904T1
廠商: ON SEMICONDUCTOR
元件分類: 小信號(hào)晶體管
英文描述: General Purpose Transistor
中文描述: 200 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-261AA
封裝: CASE 318E-04, TO-261, 4 PIN
文件頁(yè)數(shù): 5/8頁(yè)
文件大?。?/td> 115K
代理商: PZT3904T1
PZT3904T1
http://onsemi.com
5
TYPICAL AUDIO SMALLSIGNAL CHARACTERISTICS
NOISE FIGURE VARIATIONS
(V
CE
= 5.0 Vdc, T
A
= 25
°
C, Bandwidth = 1.0 Hz)
Figure 9.
f, FREQUENCY (kHz)
4
6
8
10
12
2
0.1
Figure 10.
R
S
, SOURCE RESISTANCE (k )
0
N
1.0
2.0
4.0
10
20
40
0.2
0.4
0
100
4
6
8
10
12
2
14
0.1
1.0
2.0
4.0
10
20
40
0.2
0.4
100
N
f = 1.0 kHz
I
C
= 1.0 mA
I
C
= 0.5 mA
I
C
= 50 A
I
C
= 100 A
SOURCE RESISTANCE = 200
I
C
= 1.0 mA
SOURCE RESISTANCE = 200
I
C
= 0.5 mA
SOURCE RESISTANCE = 500
I
C
= 100 A
SOURCE RESISTANCE = 1.0 k
I
C
= 50 A
Figure 11. Current Gain
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
70
100
200
300
50
Figure 12. Output Admittance
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
h
f
h
o
Figure 13. Input Impedance
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 14. Voltage Feedback Ratio
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
30
100
50
5
10
20
2.0
3.0
5.0
7.0
10
1.0
0.1
0.2
1.0
2.0
5.0
0.5
10
0.3
0.5
3.0
0.7
2.0
5.0
10
20
1.0
0.2
0.5
h
r
h
i
0.1
0.2
1.0
2.0
5.0
10
0.3
0.5
3.0
0.1
0.2
1.0
2.0
5.0
10
0.3
0.5
3.0
2
1
0.1
0.2
1.0
2.0
5.0
10
0.3
0.5
3.0
h PARAMETERS
(V
CE
= 10 Vdc, f = 1.0 kHz, T
A
= 25
°
C)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PZT651T1 NPN Silicon Planar Epitaxial Transistor(NPN型外延晶體管)
PZT65 HIGH CURRENT NPN SILICON TRANSISTOR SURFACE MOUNT
PZT651T3 TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-261AA
PZT751T1 PNP Silicon Planar Epitaxial Transistor(硅PNP平面外延晶體管)
PZT751T1G PNP Silicon Planar Epitaxial Transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
PZT3904T1/D 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:PZT3904T1 Data Sheet
PZT3904T1G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 0.2A 40V 1.5W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
PZT3906 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
PZT3906,115 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS SW TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
PZT3906,135 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS SW TAPE-13 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2