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參數(shù)資料
| 型號： | PF48F2P0ZBQ0 |
| 廠商： | Intel Corp. |
| 英文描述： | Intel StrataFlash Embedded Memory |
| 中文描述： | 英特爾StrataFlash嵌入式存儲器 |
| 文件頁數(shù)： | 60/102頁 |
| 文件大?。?/td> | 1609K |
| 代理商： | PF48F2P0ZBQ0 |
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1-Gbit P30 Family
April 2005
60
Intel StrataFlash
Embedded Memory (P30)
Order Number: 306666, Revision: 001
Datasheet
boundary, the worst case output delay is one clock cycle less than the first access Latency Count.
This delay can take place only once, and doesn’t occur if the burst sequence does not cross a
device-row boundary. WAIT informs the system of this delay when it occurs.
10.3.9
Burst Length
The Burst Length bit (BL[2:0]) selects the linear burst length for all synchronous burst reads of the
flash memory array. The burst lengths are 4-word, 8-word, 16-word, and continuous word.
Continuous-burst accesses are linear only, and do not wrap within any word length boundaries (see
Table 25, “Burst Sequence Word Ordering” on page 59
). When a burst cycle begins, the device
outputs synchronous burst data until it reaches the end of the “burstable” address space.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PF48F3P0ZBQ0 | Intel StrataFlash Embedded Memory |
| PF48F4P0ZBQ0 | Intel StrataFlash Embedded Memory |
| PF48F4P0VB00 | Photoelectric Sensor; Sensor Input Type:Optical; Sensing Range Max:43mm; Sensor Output Type:Relay; Leaded Process Compatible:No; Output Type:Relay; Peak Reflow Compatible (260 C):No; Contact Current Max:3A; Contact Rating:3A |
| PF48F0P0VT00 | Intel StrataFlash Embedded Memory |
| PF48F2P0VT00 | Intel StrataFlash Embedded Memory |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| PF48F2P0ZT00 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:Intel StrataFlash Embedded Memory |
| PF48F2P0ZTQ0 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:Intel StrataFlash Embedded Memory |
| PF48F3000P0ZBQ0 | 制造商:NUMONYX 制造商全稱:Numonyx B.V 功能描述:Numonyx StrataFlash Embedded Memory |
| PF48F3000P0ZBQ0A | 功能描述:IC FLASH 128MBIT 85NS 88TPBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:StrataFlash™ 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ |
| PF48F3000P0ZBQEA | 功能描述:IC FLASH 128MBIT 65NM SCSP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:Axcell™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:閃存 - NAND 存儲容量:4G（256M x 16） 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP I 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:557-1461-6 |
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