型號: | PF48F2P0ZBQ0 |
廠商: | Intel Corp. |
英文描述: | Intel StrataFlash Embedded Memory |
中文描述: | 英特爾StrataFlash嵌入式存儲器 |
文件頁數(shù): | 15/102頁 |
文件大?。?/td> | 1609K |
代理商: | PF48F2P0ZBQ0 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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PF48F3P0ZBQ0 | Intel StrataFlash Embedded Memory |
PF48F4P0ZBQ0 | Intel StrataFlash Embedded Memory |
PF48F4P0VB00 | Photoelectric Sensor; Sensor Input Type:Optical; Sensing Range Max:43mm; Sensor Output Type:Relay; Leaded Process Compatible:No; Output Type:Relay; Peak Reflow Compatible (260 C):No; Contact Current Max:3A; Contact Rating:3A |
PF48F0P0VT00 | Intel StrataFlash Embedded Memory |
PF48F2P0VT00 | Intel StrataFlash Embedded Memory |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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PF48F2P0ZT00 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:Intel StrataFlash Embedded Memory |
PF48F2P0ZTQ0 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:Intel StrataFlash Embedded Memory |
PF48F3000P0ZBQ0 | 制造商:NUMONYX 制造商全稱:Numonyx B.V 功能描述:Numonyx StrataFlash Embedded Memory |
PF48F3000P0ZBQ0A | 功能描述:IC FLASH 128MBIT 85NS 88TPBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:StrataFlash™ 產品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標準包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步,DDR II 存儲容量:18M(1M x 18) 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應商設備封裝:165-CABGA(13x15) 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ |
PF48F3000P0ZBQEA | 功能描述:IC FLASH 128MBIT 65NM SCSP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:Axcell™ 標準包裝:1 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:閃存 - NAND 存儲容量:4G(256M x 16) 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:48-TFSOP(0.724",18.40mm 寬) 供應商設備封裝:48-TSOP I 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:557-1461-6 |