參數(shù)資料
型號: PF48F2P0ZBQ0
廠商: Intel Corp.
英文描述: Intel StrataFlash Embedded Memory
中文描述: 英特爾StrataFlash嵌入式存儲器
文件頁數(shù): 11/102頁
文件大?。?/td> 1609K
代理商: PF48F2P0ZBQ0
1-Gbit P30 Family
Datasheet
Intel StrataFlash
Embedded Memory (P30)
Order Number: 306666, Revision: 001
April 2005
11
Terminal Dimension
D
19.800
20.00
20.200
0.780
0.787
0.795
Lead Tip Length
L
0.500
0.600
0.700
0.020
0.024
0.028
Lead Count
N
-
56
-
-
56
-
Lead Tip Angle
Seating Plane Coplanarity
Y
-
-
0.100
-
-
0.004
Lead to Package Offset
Z
0.150
0.250
0.350
0.006
0.010
0.014
Table 1.
TSOP Package Dimensions (Sheet 2 of 2)
Product Information
Sym
Millimeters
Inches
Min
Nom
Max
Min
Nom
Max
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PF48F3P0ZBQ0 Intel StrataFlash Embedded Memory
PF48F4P0ZBQ0 Intel StrataFlash Embedded Memory
PF48F4P0VB00 Photoelectric Sensor; Sensor Input Type:Optical; Sensing Range Max:43mm; Sensor Output Type:Relay; Leaded Process Compatible:No; Output Type:Relay; Peak Reflow Compatible (260 C):No; Contact Current Max:3A; Contact Rating:3A
PF48F0P0VT00 Intel StrataFlash Embedded Memory
PF48F2P0VT00 Intel StrataFlash Embedded Memory
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參數(shù)描述
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PF48F3000P0ZBQ0A 功能描述:IC FLASH 128MBIT 85NS 88TPBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:StrataFlash™ 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標準包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步,DDR II 存儲容量:18M(1M x 18) 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA(13x15) 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ
PF48F3000P0ZBQEA 功能描述:IC FLASH 128MBIT 65NM SCSP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:Axcell™ 標準包裝:1 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:閃存 - NAND 存儲容量:4G(256M x 16) 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:48-TFSOP(0.724",18.40mm 寬) 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP I 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:557-1461-6