參數(shù)資料
型號： PF48F2P0ZBQ0
廠商： Intel Corp.
英文描述： Intel StrataFlash Embedded Memory
中文描述： 英特爾StrataFlash嵌入式存儲器
文件頁數(shù)： 17/102頁
文件大?。?/td> 1609K
代理商： PF48F2P0ZBQ0
1-Gbit P30 Family
Datasheet
Intel StrataFlash
Embedded Memory (P30)
Order Number: 306666, Revision: 001
April 2005
17
4.0
Ballout and Signal Descriptions
4.1
Signal Ballout
Notes:
1.
2.
3.
A1 is the least significant address bit.
A23 is valid for 128-Mbit densities and above; otherwise, it is a no connect (NC).
A24 is valid for 256-Mbit densities and above; otherwise, it is a no connect (NC).
Figure 7.
56-Lead TSOP Pinout (64/128/256-Mbit)
Intel StrataFlash
Embedded Memory (P30)
56-Lead TSOP Pinout
14 mm x 20 mm
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RFU
VSS
WAIT
A17
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DQ7
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DQ12
DQ4
ADV#
CLK
RST#
VPP
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DQ2
VCCQ
DQ9
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DQ0
VCC
OE#
VSS
CE#
A1
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PDF描述
PF48F3P0ZBQ0 Intel StrataFlash Embedded Memory
PF48F4P0ZBQ0 Intel StrataFlash Embedded Memory
PF48F4P0VB00 Photoelectric Sensor; Sensor Input Type:Optical; Sensing Range Max:43mm; Sensor Output Type:Relay; Leaded Process Compatible:No; Output Type:Relay; Peak Reflow Compatible (260 C):No; Contact Current Max:3A; Contact Rating:3A
PF48F0P0VT00 Intel StrataFlash Embedded Memory
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PF48F3000P0ZBQEA 功能描述:IC FLASH 128MBIT 65NM SCSP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:Axcell™ 標準包裝:1 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:閃存 - NAND 存儲容量:4G（256M x 16） 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP I 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:557-1461-6
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