參數(shù)資料
型號： NTB30N06
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： JFETs
英文描述： Power MOSFET 30Amps, 60 Volts, N-Channel TO-220(30A, 60 V，N通道TO-220封裝的功率MOSFET)
中文描述： 27 A, 60 V, 0.042 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： CASE 418B-04, D2PAK-3
文件頁數(shù)： 6/7頁
文件大?。?/td> 78K
代理商： NTB30N06
NTP30N06, NTB30N06
http://onsemi.com
6
PACKAGE DIMENSIONS
D
2
PAK
CASE 418B04
ISSUE J
STYLE 2:
PIN 1. GATE
2. DRAIN
3. SOURCE
4. DRAIN
SEATING
PLANE
S
G
D
T
M
0.13 (0.005)
T
2
3
1
4
3 PL
K
J
H
V
E
C
A
DIM
A
B
C
D
E
F
MIN
0.340
0.380
0.160
0.020
0.045
0.310
MAX
0.380
0.405
0.190
0.035
0.055
0.350
MIN
8.64
9.65
4.06
0.51
1.14
7.87
MAX
9.65
10.29
4.83
0.89
1.40
8.89
MILLIMETERS
INCHES
G
H
J
K
L
M
N
P
R
0.100 BSC
0.080
0.018
0.090
0.052
0.280
0.197 REF
0.079 REF
0.039 REF
2.54 BSC
2.03
0.46
2.29
1.32
7.11
5.00 REF
2.00 REF
0.99 REF
0.110
0.025
0.110
0.072
0.320
2.79
0.64
2.79
1.83
8.13
S
V
0.575
0.045
0.625
0.055
14.60
1.14
15.88
1.40
B
M
B
W
W
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING
PER ANSI Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
3. 418B01 THRU 418B03 OBSOLETE,
NEW STANDARD 418B04.
M
L
F
M
L
F
M
L
F
VARIABLE
CONFIGURATION
ZONE
R
N
P
U
VIEW WW
1
VIEW WW
2
VIEW WW
3
*For additional information on our PbFree strategy and soldering
details, please download the ON Semiconductor Soldering and
Mounting Techniques Reference Manual, SOLDERRM/D.
SOLDERING FOOTPRINT*
8.38
0.33
1.016
0.04
17.02
0.67
10.66
0.42
3.05
0.12
5.08
0.20
mm
inches
SCALE 3:1
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PDF描述
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NTB35N15 Power MOSFET 37 Amps, 150 Volts N-Channel Enhancement-Mode(37A，150V，N通道，增強(qiáng)模式功率MOSFET)
NTB45N06 Power MOSFET 45 Amps, 60 Volts
NTB45N06T4 Power MOSFET 45 Amps, 60 Volts
NTP45N06 Power MOSFET 45 Amps, 60 Volts
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參數(shù)描述
NTB30N06G 功能描述:MOSFET NFET 60V 30A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
NTB30N06L 功能描述:MOSFET 60V 30A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
NTB30N06LG 功能描述:MOSFET 60V 30A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
NTB30N06LT4 功能描述:MOSFET 60V 30A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
NTB30N06LT4G 功能描述:MOSFET 60V 30A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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