參數(shù)資料
型號： NTB30N06
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： JFETs
英文描述： Power MOSFET 30Amps, 60 Volts, N-Channel TO-220(30A, 60 V，N通道TO-220封裝的功率MOSFET)
中文描述： 27 A, 60 V, 0.042 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： CASE 418B-04, D2PAK-3
文件頁數(shù)： 3/7頁
文件大?。?/td> 78K
代理商： NTB30N06
NTP30N06, NTB30N06
http://onsemi.com
3
0
0.09
0.06
30
20
0
10
60
0.04
0.02
40
50
0.08
0.03
0.05
0.07
T
J
= 25
°
C
T
J
= 55
°
C
T
J
= 100
°
C
V
GS
= 15 V
60
30
20
10
0
V
DS
, DRAINTOSOURCE VOLTAGE (VOLTS)
I
D
,
V
GS
, GATETOSOURCE VOLTAGE (VOLTS)
I
D
,
I
D
, DRAIN CURRENT (AMPS)
I
D
, DRAIN CURRENT (AMPS)
R
D
,
R
D
,
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
°
C)
V
DS
, DRAINTOSOURCE VOLTAGE (VOLTS)
R
D
,
(
I
D
,
2.2
1.8
1.4
1.6
1.2
1
0.6
1
1000
10000
0
3
2
1
Figure 1. OnRegion Characteristics
Figure 2. Transfer Characteristics
0
0.09
0.06
30
20
0
10
60
Figure 3. OnResistance versus
GatetoSource Voltage
Figure 4. OnResistance versus Drain Current
and Gate Voltage
Figure 5. OnResistance Variation with
Temperature
Figure 6. DraintoSource Leakage Current
versus Voltage
60
50
50
25
0
25
75
125
100
2
10
4
0
30
40
20
10
50
60
40
30
20
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0
6
175
150
0.8
4
5
6
9 V
V
DS
≥
10 V
T
J
= 25
°
C
T
J
= 55
°
C
T
J
= 100
°
C
T
J
= 25
°
C
T
J
= 55
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C
T
J
= 100
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C
V
GS
= 10 V
V
GS
= 0 V
T
J
= 150
°
C
T
J
= 100
°
C
I
D
= 15 A
V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V
7 V
8
0.04
0.02
10
6.5 V
6 V
5.5 V
4.5 V
40
50
50
40
50
0.08
5 V
8 V
0.03
0.05
0.07
2
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