參數(shù)資料
型號(hào)： NTB30N06
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類(lèi)： JFETs
英文描述： Power MOSFET 30Amps, 60 Volts, N-Channel TO-220(30A, 60 V，N通道TO-220封裝的功率MOSFET)
中文描述： 27 A, 60 V, 0.042 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： CASE 418B-04, D2PAK-3
文件頁(yè)數(shù)： 4/7頁(yè)
文件大?。?/td> 78K
代理商： NTB30N06
NTP30N06, NTB30N06
http://onsemi.com
4
GATETOSOURCE OR DRAINTOSOURCE VOLTAGE
(VOLTS)
Figure 7. Capacitance Variation
C
Q
g
, TOTAL GATE CHARGE (nC)
V
G
,
R
G
, GATE RESISTANCE ( )
V
SD
, SOURCETODRAIN VOLTAGE (VOLTS)
I
S
,
t
V
DS
, DRAINTOSOURCE VOLTAGE (VOLTS)
T
J
, STARTING JUNCTION TEMPERATURE (
°
C)
I
D
,
E
A
,
A
1000
100
1
0.1
1000
100
1
12
10
8
6
4
2
0
120
60
20
40
0
32
16
0
0.6
10
2400
10
1200
15
5
0
20
800
400
0
5
Figure 8. GatetoSource and
DraintoSource Voltage versus Total Charge
Figure 9. Resistive Switching Time Variation
versus Gate Resistance
Figure 10. Diode Forward Voltage versus
Current
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
Figure 12. Maximum Avalanche Energy versus
Starting Junction Temperature
25
0
8
4
1
10
100
0.76
0.68
0.92
1.16
0.1
10
100
1
25
125
150
100
75
175
50
0.84
10
24
1
I
D
= 30 A
T
J
= 25
°
C
V
GS
V
GS
= 0 V
V
DS
= 0 V
T
J
= 25
°
C
C
rss
C
iss
C
oss
C
rss
C
iss
V
GS
= 20 V
SINGLE PULSE
T
C
= 25
°
C
V
DS
= 30 V
I
D
= 30 A
V
GS
= 10 V
V
GS
= 0 V
T
J
= 25
°
C
I
D
= 26 A
t
f
t
d(off)
t
d(on)
t
r
R
Limit
Thermal Limit
Package Limit
Q
T
Q
2
Q
1
10 ms
1 ms
100 s
dc
V
GS
V
DS
8
10 s
1600
2000
12
16
24
10
80
100
20
1.08
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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NTB45N06T4 Power MOSFET 45 Amps, 60 Volts
NTP45N06 Power MOSFET 45 Amps, 60 Volts
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參數(shù)描述
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NTB30N06L 功能描述:MOSFET 60V 30A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
NTB30N06LG 功能描述:MOSFET 60V 30A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
NTB30N06LT4 功能描述:MOSFET 60V 30A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
NTB30N06LT4G 功能描述:MOSFET 60V 30A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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