參數(shù)資料
型號： NE650103M
廠商： Electronic Theatre Controls, Inc.
英文描述： NECS 10 W L & S-BAND POWER GaAs MESFET
中文描述： 鄰舍10冊
文件頁數(shù)： 4/6頁
文件大?。?/td> 135K
代理商： NE650103M
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
(T
A
= 25
°
C)
NE650103M
Z
SOURCE
= Impedance of the input circuit as seen by the Gate
Z
LOAD
= Impedance of the output circuit as seen by the Drain
Z
SOURCE
Z
LOAD
f (GHz)
1.45
1.50
1.55
2.57
2.60
2.63
Z
SOURCE
(
)
4.96 - j3.16
3.97 - j2.10
2.99 - j1.0
2.71 + j0.23
2.64 + j0.75
2.54 + j1.26
Z
LOAD
(
5.60 - j5.02
4.94 - j3.49
4.32
- j2.22
5.50 - j5.58
5.36 - j5.07
5.16
- j4.59
)
LARGE SIGNAL IMPEDANCES
(V
DS
= 10 V, I
DSQ
= 1.5 A)
V
DS
= 10 V,
I
DSQ
= 1.5 A
F1=2.2975 GHz
F2=2.3025 GHz
-10
-15
-20
-25
-30
-35
-40
-45
-50
-55
-60
-65
20
25
30
35
40
IM3
IM5
INTERMODULATION DISTORTION
vs. OUTPUT POWER
I
2-Tone P
OUT
(dBm)
45
40
35
30
25
20
15
20
25
30
35
40
100
80
60
40
20
0
V
DS
= 10 V,
I
DSQ
= 1.5 A
Rg = 100
F = 2.65 GHz
OUTPUT POWER AND
POWER ADDED EFFICIENCY
P
A
O
O
Input Power, P
IN
(dBm)
45
V
DS
= 10 V,
I
DSQ
= 1.5 A
Rg = 100
F = 2.3 GHz
40
35
30
25
20
10
10
20
25
30
35
0
20
40
60
80
100
OUTPUT POWER AND
POWER ADDED EFFICIENCY
O
O
Input Power, P
IN
(dBm)
P
A
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