參數(shù)資料
型號(hào)： NE661M04-T2
廠商： NEC Corp.
英文描述： NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR LOW CURRENT, LOW NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION FLAT-LEAD 4-PIN THIN SUPER MINI-MOLD
中文描述： NPN硅射頻晶體管，低噪聲，高增益放大平引腳4引腳薄型超小型，低電流模
文件頁數(shù)： 1/12頁
文件大?。?/td> 70K
代理商： NE661M04-T2
The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please
confirm that this is the latest version.
Not all devices/types available in every country. Please check with local NEC representative for
availability and additional information.
NPN SILICON RF TRANSISTOR
NE661M04
NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR LOW CURRENT,
LOW NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION
FLAT-LEAD 4-PIN THIN SUPER MINI-MOLD
Document No. P14909EJ1V0DS00 (1st edition)
Date Published June 2000 N CP(K)
Printed in Japan
DATA SHEET
2000
FEATURES
Low noise and high gain with low collector current
NF = 1.2 dB, G
a
= 16 dB TYP. @f = 2 GHz, V
CE
= 2 V, I
C
= 2 mA
Maximum stable power gain: MSG = 22 dB TYP. @f = 2 GHz, V
CE
= 2 V, I
C
= 5 mA
f
T
= 25 GHz technology
Flat-lead 4-pin thin super mini-mold (t = 0.59 mm)
ORDERING INFORMATION
Part Number
Quantity
Packaging Style
NE661M04
Loose product (50 pcs)
NE661M04-T2
Taping product (3 kpcs/reel)
8 mm wide emboss taping
1 pin (emitter), 2 pin (collector) feed hole direction
Remark
To order evaluation samples, consult your NEC sales representative (available in 50-pcs units).
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Parameter
Symbol
Ratings
Unit
Collector to Base Voltage
V
CBO
15
V
Collector to Emitter Voltage
V
CEO
3.3
V
Emitter to Base Voltage
V
EBO
1.5
V
Collector Current
I
C
12
mA
Total Power Dissipation
P
tot
Note
39
mW
Junction Temperature
T
j
150
°C
Storage Temperature
T
stg
–65 to +150
°C
Note
T
A
= +25°C (free air)
THERMAL RESISTANCE
Item
Symbol
Value
Unit
Junction to Case Resistance
R
th j-c
240
°C/W
Junction to Ambient Resistance
R
th j-a
650
°C/W
Because this product uses high-frequency technology, avoid excessive static electricity, etc.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NE662M04 NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
NE662M04-T2 NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
NE662M16 NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
NE662M16-T3 NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
NE664M04 MEDIUM POWER NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
NE661M04-T2-A 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
NE66219 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
NE66219-A 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
NE66219-T1 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
NE66219-T1-A 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*