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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | NE661M04-T2 |
| 廠商： | NEC Corp. |
| 英文描述： | NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR LOW CURRENT, LOW NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION FLAT-LEAD 4-PIN THIN SUPER MINI-MOLD |
| 中文描述： | NPN硅射頻晶體管，低噪聲，高增益放大平引腳4引腳薄型超小型，低電流模 |
| 文件頁數(shù)： | 4/12頁 |
| 文件大?。?/td> | 70K |
| 代理商： | NE661M04-T2 |
Data Sheet P14909EJ1V0DS00
4
NE661M04
Gain Characteristics
Collector Current I
C
(mA)
Collector Current I
C
(mA)
Insertion Power Gain, Maximum Available Power Gain,
Maximum Stable Power Gain vs. Frequency
Insertion Power Gain, Maximum Stable Power Gain
vs. Collector Current
Insertion Power Gain, Maximum Available Power Gain,
Maximum Stable Power Gain vs. Collector Current
40
35
30
25
20
15
10
5
0
30
25
20
15
10
5
0
30
25
20
15
10
5
0
Frequency f (GHz)
I
2
|
2
M
M
I
|
2
|
2
(
M
I
2
|
2
M
M
0.1
1.0
10.0
1
10
100
1
10
100
MAG
MSG
|S
21e
|
2
V
CE
= 2 V
I
C
= 5 mA
MSG
|S
21e
|
2
MSG
|S
21e
|
2
MAG
f = 2 GHz
V
CE
= 2 V
f = 1 GHz
V
CE
= 2 V
Output Characteristics
Input Power P
in
(dBm)
Output Power, Collector Current vs. Input Power
10
5
0
–5
–10
–15
25
20
15
10
5
0
25
20
15
10
5
0
O
o
C
C
–30
–25
–20
–15
–10
–5
P
out
I
C
f = 1 GHz
V
CE
= 2 V
Input Power P
in
(dBm)
Output Power, Collector Current vs. Input Power
10
5
0
–5
–10
–15
O
o
C
C
–30
–25
–20
–15
–10
–5
P
out
I
C
f = 2 GHz
V
CE
= 2 V
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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