參數(shù)資料
型號(hào)： NE661M04-T2
廠商： NEC Corp.
英文描述： NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR LOW CURRENT, LOW NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION FLAT-LEAD 4-PIN THIN SUPER MINI-MOLD
中文描述： NPN硅射頻晶體管，低噪聲，高增益放大平引腳4引腳薄型超小型，低電流模
文件頁(yè)數(shù)： 2/12頁(yè)
文件大?。?/td> 70K
代理商： NE661M04-T2
Data Sheet P14909EJ1V0DS00
2
NE661M04
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T
A
= +25°C)
Parameter
Symbol
Test Conditions
MIN.
TYP.
MAX.
Unit
DC characteristics
Collector Cut-off Current
I
CBO
V
CB
= 5 V, I
E
= 0
–
–
100
nA
Emitter Cut-off Current
I
EBO
V
EB
= 1 V, I
C
= 0
–
–
100
nA
DC Current Gain
h
FE
Note 1
V
CE
= 2 V, I
C
= 5 mA
50
70
100
–
RF Characteristics
Reverse Transfer Capacitance
C
re
Note 2
V
CB
= 2 V, I
E
= 0, f = 1 MHz
–
0.08
0.12
pF
Gain Bandwidth Product
f
T
V
CE
= 3 V, I
C
= 10 mA, f = 2 GHz
20
25
–
GHz
Noise Figure
NF
V
CE
= 2 V, I
C
= 2 mA, f = 2 GHz, Z
S
= Z
opt
–
1.2
1.5
dB
Insertion Power Gain
|
S
21e
|
2
V
CE
= 2 V, I
C
= 5 mA, f = 2 GHz
14
17
–
dB
Maximum Stable Power Gain
MSG
Note 3
V
CE
= 2 V, I
C
= 5 mA, f = 2 GHz
–
22
–
dB
Output Power at 1 dB
Compression Point
P
-1
V
CE
= 2 V, I
C
= 5 mA
Note 4
, f = 2 GHz
–
5
–
dBm
Output Power at Third Order
Intercept Point
OIP
3
V
CE
= 2 V, I
C
= 5 mA
Note 4
, f = 2 GHz
–
15
–
–
Notes 1.
Pulse measurement PW
≤
350
μ
s, Duty cycle
≤
2%
2.
Emitter to base capacitance measured using capacitance meter (self-balancing bridge method) when
the emitter is connected to the guard pin
S
21
MSG =
S
12
4.
Collector current when P
-1
is output
3.
h
FE
CLASSIFICATION
Rank
FB
Marking
T78
h
FE
50 to 100
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NE662M04 NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
NE662M04-T2 NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
NE662M16 NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
NE662M16-T3 NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
NE664M04 MEDIUM POWER NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
NE661M04-T2-A 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
NE66219 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
NE66219-A 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
NE66219-T1 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
NE66219-T1-A 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
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