參數(shù)資料
型號(hào)： NE661M04-T2
廠商： NEC Corp.
英文描述： NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR LOW CURRENT, LOW NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION FLAT-LEAD 4-PIN THIN SUPER MINI-MOLD
中文描述： NPN硅射頻晶體管，低噪聲，高增益放大平引腳4引腳薄型超小型，低電流模
文件頁(yè)數(shù)： 8/12頁(yè)
文件大?。?/td> 70K
代理商： NE661M04-T2
Data Sheet P14909EJ1V0DS00
8
NE661M04
NOISE PARAMETER
<Equal NF circle>
Γ
opt
15dB
2.0 dB
4.0 dB
25dB
35dB
Unstable area
V
CE
= 2 V
I
C
= 2 mA
f = 2 GHz
NF
min
= 1.1 dB
Γ
opt
1.5 dB
2.0 dB
2.5 dB
40dB
35dB
Unstable area
V
CE
= 2 V
I
C
= 2 mA
f = 1 GHz
NF
min
= 1.0 dB
V
CE
= 2 V, I
C
= 2 mA
Γ
opt
f
(GHz)
NF
min
(dB)
G
a
(dB)
MAG.
ANG.
Rn/50
0.8
0.9
1.0
1.5
1.8
1.9
2.0
2.5
0.93
0.95
0.97
1.08
1.14
1.16
1.18
1.29
22.9
22.2
21.6
18.8
17.5
17.1
16.7
15.2
0.54
0.54
0.54
0.53
0.51
0.50
0.49
0.44
13.3
14.9
16.4
24.6
30.3
32.4
34.6
47.7
0.47
0.47
0.47
0.45
0.43
0.42
0.41
0.35
V
CE
= 2 V, I
C
= 5 mA
Γ
opt
f
(GHz)
NF
min
(dB)
G
a
(dB)
MAG.
ANG.
Rn/50
0.8
0.9
1.0
1.5
1.8
1.9
2.0
2.5
1.59
1.60
1.60
1.62
1.63
1.63
1.63
1.65
24.7
24.1
23.4
20.7
19.3
18.9
18.5
16.9
0.38
0.38
0.38
0.36
0.34
0.33
0.32
0.26
10.7
11.9
13.2
20.5
25.7
27.5
29.4
40.1
0.43
0.43
0.43
0.41
0.38
0.38
0.37
0.32
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PDF描述
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參數(shù)描述
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NE66219-T1-A 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
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