參數(shù)資料
型號(hào)： NE650103M
廠商： Electronic Theatre Controls, Inc.
英文描述： NECS 10 W L & S-BAND POWER GaAs MESFET
中文描述： 鄰舍10冊(cè)
文件頁數(shù)： 3/6頁
文件大?。?/td> 135K
代理商： NE650103M
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
(T
A
= 25
°
C)
NE650103M
0
15
20
25
30
35
40
45
-20
0
20
40
60
80
100
V
DS
= 10 V,
I
DSQ
= 1.5 A
F = 880 MHz
5
10
15
20
25
0
0
P
out
PAE
OUTPUT POWER AND
POWER ADDED EFFICIENCY
O
O
Input Power, P
IN
(dBm)
P
A
-20
-25
-30
-35
-40
-45
-50
-55
-60
20
25
30
35
40
V
DS
= 10 V,
F1 = 1.9575 GHz
F2 = 1.9575 GHz
I
DSQ
= 1 A
I
DSQ
= 1.5 A
I
DSQ
= 2 A
THIRD ORDER INTERMODULATION
DISTORTION vs. OUTPUT POWER
I
2-Tone Output Power, P
OUT
(dBm)
45
40
35
30
25
20
10
15
20
25
30
35
0
20
40
60
80
100
V
DS
= 10 V,
I
DSQ
= 1.5 A
Rg = 100
F = 1.5 GHz
OUTPUT POWER AND
POWER ADDED EFFICIENCY
P
A
O
O
Input Power, P
IN
(dBm)
10
15
20
25
30
35
0
20
20
25
30
35
40
45
P
out
(I
DSQ
= 1 A)
P
out
(I
DSQ
= 1.5 A)
P
out
(I
DSQ
= 2 A)
PAE (I
DSQ
= 1 A)
PAE (I
DSQ
= 1.5 A)
PAE (I
DSQ
= 2 A)
60
80
100
40
f =1.96 GHz
V
DS
= 10 V
OUTPUT POWER AND
POWER ADDED EFFICIENCY
P
A
O
O
Input Power, P
IN
(dBm)
G
G
D
D
Input Power, P
IN
(dBm)
10
0
1
2
3
4
15
20
25
30
35
-10
0
10
20
30
ID (
DSQ
= 1 A)
ID (
DSQ
= 2 A)
IG (
DSQ
= 1.5 A
ID (
DSQ
= 1.5 A)
IG (
DSQ
= 1 A)
IG (
DSQ
= 2 A)
f =1.96 GHz
V
DS
= 10 V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NE6501077 10 W L, S-BAND POWER GaAs FET N-CHANNEL GaAs MES FET
NE6510179A 1W L-Band Power GaAs HJ-FET(N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管)
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NE661M04-T2 NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR LOW CURRENT, LOW NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION FLAT-LEAD 4-PIN THIN SUPER MINI-MOLD
NE662M04 NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
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參數(shù)描述
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NE650R279A-T1 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:0.2 W L, S-BAND POWER GaAs MES FET
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