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參數(shù)資料
| 型號： | NDT014(J23Z) |
| 廠商： | Fairchild Semiconductor Corporation |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 2.7A I(D) | SOT-223 |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 60V的五（巴西）直| 2.7AI（四）|的SOT - 223 |
| 文件頁數(shù)： | 9/10頁 |
| 文件大?。?/td> | 225K |
| 代理商： | NDT014(J23Z) |
SOT-223 (FS PKG Code 47)
SOT-223 Tape and Reel Data and Package Dimensions, continued
1 : 1
Scale 1:1 on letter size paper
Part Weight per unit (gram): 0.1246
September 1999, Rev. C
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NDT2955 | P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor（-2.5A，-60V，0.3Ω）(P溝道增強型場效應管（漏電流-2.5A, 漏源電壓-60V，導通電阻0.3Ω）) |
| NDT2955(J23Z) | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 2.5A I(D) | SOT-223 |
| NDT3055L | N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor（4A，60V，0.1Ω）(N溝道邏輯增強型場效應管（漏電流4A, 漏源電壓60V，導通電阻0.1Ω）) |
| NDT3055 | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor（4A，60V，0.1Ω）(N溝道增強型場效應管（漏電流4A, 漏源電壓60V，導通電阻0.1Ω）) |
| NDT410EL | N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor（2.1A，100V，0.25Ω）(N溝道邏輯增強型場效應管（漏電流2.1A, 漏源電壓100V，導通電阻0.25Ω）) |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| NDT014L | 功能描述:MOSFET N-Ch LL FET Enhancement Mode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| NDT014L | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET |
| NDT014L_SB9D008 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:N channel MOSFET |
| NDT01N60 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:N-Channel Power MOSFET 600 V, 8.5 |
| NDT01N60T1G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:NFET SOT223 600V 0.4A 65M - Tape and Reel 制造商:ON Semiconductor 功能描述:NFET SOT223 600V 0.4A 65M - Cut TR (SOS) 制造商:ON Semiconductor 功能描述:REEL / NFET SOT223 600V 0.4A 65M |
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