參數(shù)資料
型號： NDT014(J23Z)
廠商： Fairchild Semiconductor Corporation
英文描述： TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 2.7A I(D) | SOT-223
中文描述： 晶體管| MOSFET的| N溝道| 60V的五（巴西）直| 2.7AI（四）|的SOT - 223
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代理商： NDT014(J23Z)
Electrical Characteristics
(T
A
= 25°C unless otherwise noted)
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Units
OFF CHARACTERISTICS
BV
DSS
I
DSS
Drain-Source Breakdown Voltage
V
GS
= 0 V, I
D
= 250 μA
V
DS
= 60 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 48 V, V
GS
= 0 V, T
J
=125°C
V
GS
= 20 V, V
DS
= 0 V
V
GS
= -20 V, V
DS
= 0 V
60
V
Zero Gate Voltage Drain Current
25
μA
250
μA
I
GSSF
I
GSSR
ON CHARACTERISTICS
(Note 2)
Gate - Body Leakage, Forward
100
nA
Gate - Body Leakage, Reverse
-100
nA
V
GS(th)
R
DS(ON)
Gate Threshold Voltage
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 μA
V
GS
= 10 V, I
D
= 1.6 A
2
3
4
V
Static Drain-Source On-Resistance
0.18
0.2
g
FS
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Forward Transconductance
V
DS
= 25 V, I
D
= 1.6 A
2
S
C
iss
C
oss
C
rss
SWITCHING CHARACTERISTICS
(Note 2)
Input Capacitance
V
= 25 V, V
GS
= 0 V,
f = 1.0 MHz
155
pF
Output Capacitance
60
pF
Reverse Transfer Capacitance
15
pF
t
D(on)
t
r
t
D(off)
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
Turn - On Delay Time
V
DD
=30 V, I
D
= 10 A,
V
GEN
= 10 V, R
GEN
= 24
10
20
ns
Turn - On Rise Time
64
100
ns
Turn - Off Delay Time
10
20
ns
Turn - Off Fall Time
10
20
ns
Total Gate Charge
V
= 48 V,
I
D
= 10 A, V
GS
= 10 V
5
11
nC
Gate-Source Charge
1.2
3.1
nC
Gate-Drain Charge
2
5.8
nC
NDT014 Rev. C1
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
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