參數(shù)資料
型號(hào)： NDT014(J23Z)
廠商： Fairchild Semiconductor Corporation
英文描述： TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 2.7A I(D) | SOT-223
中文描述： 晶體管| MOSFET的| N溝道| 60V的五（巴西）直| 2.7AI（四）|的SOT - 223
文件頁(yè)數(shù)： 4/10頁(yè)
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代理商： NDT014(J23Z)
NDT014 Rev. C1
0
1
V , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
2
3
4
0
2
4
6
8
I
D
V = 10V
4.5
5.0
8.0
7.0
6.5
6.0
5.5
-50
-25
0
T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
25
50
75
100
125
150
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
D
R
D
V = 10V
I = 2.7A
-50
-25
0
T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
25
50
75
100
125
150
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.2
G
V
t
V = V
I = 250μA
GS
0
2
4
6
8
10
0.5
1
1.5
2
2.5
I , DRAIN CURRENT (A)
D
R
D
V = 5.5V
10
8.0
7.0
6.5
6.0
0
2
4
6
8
10
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
I , DRAIN-CURRENT(A)
D
V = 10 V
25°C
-55°C
TJ
R
D
Typical Electrical Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics.
Figure 2. On-Resistance Variation with Gate Voltage
and Drain Current.
Figure 3. On-Resistance Variation
with Temperature.
Figure 4. On-Resistance Variation with Drain
Current and Temperature.
Figure 5. Transfer Characteristics.
Figure 6. Gate Threshold Variation with
Temperature.
2
4
6
8
10
0
2
4
6
8
10
V , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
V = 10V
J
25°C
125°C
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PDF描述
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