參數(shù)資料
型號： NDS8852H
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： Complementary MOSFET Half Bridge
中文描述： 4300 mA, 30 V, 2 CHANNEL, N AND P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： SO-8
文件頁數(shù)： 6/12頁
文件大小： 349K
代理商： NDS8852H
NDS8852H Rev. C1
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0.92
0.96
1
1.04
1.08
1.12
T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
D
I = 250μA
B
D
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
30
50
100
200
300
500
800
1000
V , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
C
C ss
f = 1 MHz
V = 0V
C ss
C ss
0
2
4
Q , GATE CHARGE (nC)
6
8
10
12
0
2
4
6
8
10
-
G
I = -3.4A
V = -10V
-20V
-15V
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0.94
0.96
0.98
1
1.02
1.04
1.06
1.08
1.1
T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
D
I = -250μA
B
D
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
30
50
100
200
300
500
800
1000
-V , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
C
C ss
f = 1 MHz
V = 0V
C ss
C ss
Typical Electrical Characteristics
Figure 13. N-Channel Breakdown Voltage
Variation with Temperature.
Figure 15. N-Channel Capacitance
Characteristics.
Figure 17. N-Channel Gate Charge Characteristics.
0
2
4
Q , GATE CHARGE (nC)
6
8
10
12
0
2
4
6
8
10
V
G
I = 3.4A
20V
15V
V = 10V
Figure 14. P-Channel Breakdown Voltage
Variation with Temperature.
Figure 18. P-Channel Gate Charge Characteristics.
Figure 16. P-Channel Capacitance
Characteristics.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NDS8858H Complementry MOSFET Half Bridge
NDS8926 Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDS8928 Dual N & P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDS8934 Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDS8936 Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
NDS8858H 功能描述:MOSFET CMOSFET Half Bridge RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
NDS8858H 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET TRANSISTOR ROHS COMPLIANT:NO
NDS8926 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
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NDS8934 功能描述:MOSFET Dual P-Ch FET Enhancement Mode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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