參數(shù)資料
型號： NDS8852H
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： Complementary MOSFET Half Bridge
中文描述： 4300 mA, 30 V, 2 CHANNEL, N AND P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： SO-8
文件頁數(shù)： 5/12頁
文件大小： 349K
代理商： NDS8852H
NDS8852H Rev. C1
0
3
6
9
12
15
0.5
1
1.5
2
ID
D
J
25°C
V = 10 V
-55°C
R
D
-15
-12
-9
-6
-3
0
0.5
1
1.5
2
I , DRAIN CURRENT (A)
D
TJ
25°C
-55°C
V = -10V
R
D
-6
-5
-4
-3
-2
-1
-10
-8
-6
-4
-2
0
V , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
V = -10V
J
25°C
125°C
1
2
3
4
5
0
2
4
6
8
10
V , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
25°C
125°C
V = 10V
TJ
Figure 7. N-Channel On-Resistance Variation
with Drain Current and Temperature.
Figure 8. P-Channel On-Resistance Variation
with Drain Current and Temperature
.
Figure 9. N-Channel Transfer
Characteristics.
Figure 10. P-Channel Transfer
Characteristics.
Typical Electrical Characteristics
-50
-25
0
T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
25
50
75
100
125
150
0.6
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.2
G
I = 250μA
V = V
GS
V
t
Figure 11. N-Channel Gate Threshold Variation
with Temperature.
-50
-25
0
T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
25
50
75
100
125
150
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.2
G
I = -250μA
V = V
GS
V
t
Figure 12. P-Channel Gate Threshold Variation
with Temperature.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NDS8858H Complementry MOSFET Half Bridge
NDS8926 Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDS8928 Dual N & P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDS8934 Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDS8936 Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
NDS8858H 功能描述:MOSFET CMOSFET Half Bridge RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
NDS8858H 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET TRANSISTOR ROHS COMPLIANT:NO
NDS8926 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDS8928 功能描述:MOSFET DISC BY MFG 2/02 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
NDS8934 功能描述:MOSFET Dual P-Ch FET Enhancement Mode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*