參數(shù)資料
型號(hào)： NDS0610
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor（-0.12A，-60V，10Ω）(P溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管（漏電流-0.12A, 漏源電壓-60V，導(dǎo)通電阻10Ω）)
中文描述： 120 mA, 60 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： SOT-23, 3 PIN
文件頁數(shù)： 4/13頁
文件大?。?/td> 553K
代理商： NDS0610
NDS0610.SAM
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0.9
0.95
1
1.05
1.1
1.15
T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
D
I = -10μA
B
S
D
S
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
0.1
0.2
0.3
0.5
1
1.5
-V , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
-
V = 0V
TJ
25
-55
S
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
-10
-8
-6
-4
-2
0
Q , GATE CHARGE (nC)
V
G
-48
V = -12V
I = -0.5A
-24
0.1
0.2
0.5
-V , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
1
2
5
10
20
30
60
2
3
5
10
20
30
50
70
C
C ss
f = 1 MHz
V = 0V
C ss
C ss
-1.4
-1.2
-1
-0.8
-0.6
-0.4
-0.2
0
0
0.1
0.2
0.3
0.4
I , DRAIN CURRENT (A)
g
TJ
25
F
V = -10V
125
Figure 7. Breakdown Voltage Variation with
Temperature
Figure 8. Body Diode Forward Voltage
Variation with Current and Temperature
Figure 9. Capacitance Characteristics
Figure 10. Gate Charge Characteristics
Figure 11. Transconductance Variation with Drain
Current and Temperature
Typical Electrical Characteristics
(continued)
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PDF描述
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