- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄363239 > NDS0610 (FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP) P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor（-0.12A，-60V，10Ω）(P溝道增強型MOS場效應(yīng)管（漏電流-0.12A, 漏源電壓-60V，導通電阻10Ω）) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | NDS0610 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor（-0.12A，-60V，10Ω）(P溝道增強型MOS場效應(yīng)管（漏電流-0.12A, 漏源電壓-60V，導通電阻10Ω）) |
| 中文描述： | 120 mA, 60 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 封裝： | SOT-23, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 12/13頁 |
| 文件大?。?/td> | 553K |
| 代理商： | NDS0610 |
SOT-23 (FS PKG Code 49)
SOT-23 Tape and Reel Data and Package Dimensions, continued
September 1998, Rev. A1
1:1
Scale 1:1 on letter size paper
Dimensions shown below are in:
inches [millimeters]
Part Weight per unit (gram): 0.0082
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NDH8301N | Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor（3A，20V，0.06Ω）(雙N溝道增強型場效應(yīng)管（漏電流3A, 漏源電壓20V，導通電阻0.06Ω）) |
| NDH8303N | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor（3.8A，20V，0.035Ω）(N溝道增強型MOS場效應(yīng)管（漏電流3.8A, 漏源電壓20V，導通電阻0.035Ω）) |
| NDH8304 | Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| NDH8304P | Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor（-2.7A，-20V，0.07Ω）(雙P溝道增強型場效應(yīng)管（漏電流-2.7A, 漏源電壓-20V，導通電阻0.07Ω）) |
| NDH831N | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor（5.8A，20V，0.03Ω）(N溝道增強型MOS場效應(yīng)管（漏電流5.8A, 漏源電壓20V，導通電阻0.03Ω）) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| NDS0610 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET P SOT-23 |
| NDS0610_D87Z | 功能描述:MOSFET P-Channel FET Enhancement Mode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| NDS0610_NL | 功能描述:MOSFET 60V 10 OHM P-CH MOSFETSOT-23 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| NDS0610_Q | 功能描述:MOSFET P-Channel FET Enhancement Mode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| NDS0610X | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET P-Channel 60V 0.12A SOT23 |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。