參數(shù)資料
型號： NDS0610
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor（-0.12A，-60V，10Ω）(P溝道增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)管（漏電流-0.12A, 漏源電壓-60V，導(dǎo)通電阻10Ω）)
中文描述： 120 mA, 60 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： SOT-23, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/13頁
文件大小： 553K
代理商： NDS0610
NDS0610.SAM
-10
-8
-6
-4
-2
0
-1.4
-1.2
-1
-0.8
-0.6
-0.4
-0.2
0
V , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
V = -10V
-8
-7
-6
-5
-4
-9
-50
-25
0
T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
25
50
75
100
125
150
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
D
R
D
I = -0.5A
V = -10V
-50
-25
0
T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
25
50
75
100
125
150
0.8
0.85
0.9
0.95
1
1.05
1.1
G
V = V
I = -1mA
V
t
-1.4
-1.2
-1
-0.8
-0.6
-0.4
-0.2
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
I , DRAIN CURRENT (A)
D
TJ
-55
R
D
125
25
-55
V
GS
-4.5V
-10V
25
Typical Electrical Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics
Figure 2. On-Resistance Variation with Gate
Voltage and Drain Current
Figure 3. On-Resistance Variation
with Temperature
Figure 4. On-Resistance Variation with Drain
Current and Temperature
Figure 5. Transfer Characteristics
Figure 6. Gate Threshold Variation with
Temperature
-10
-8
-6
-4
-2
0
-1.2
-1
-0.8
-0.6
-0.4
-0.2
0
V , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
25
125
V = -10V
J
-1.4
-1.2
-1
-0.8
-0.6
-0.4
-0.2
0
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
2.2
I , DRAIN CURRENT (A)
D
V = -4V
R
D
-5
-7
-8
-9
-10
-6
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PDF描述
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