參數(shù)資料
型號： NDH8504P
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor（-2.7A，-30V，0.07Ω）(雙P溝道增強型場效應(yīng)管（漏電流-2.7A, 漏源電壓-30V，導通電阻0.07Ω）)
中文描述： 2700 mA, 30 V, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： SUPERSOT-8
文件頁數(shù)： 6/10頁
文件大?。?/td> 210K
代理商： NDH8504P
NDH8504P Rev.C
Figure 14. Maximum Safe Operating Area.
Typical Electrical and Thermal Characteristics
Figure 15. Transient Thermal Response Curve
.
Note: Thermal characterization performed using the conditions described in note1 .Transient thermal response will change
depending on the circuit board design.
Figure 13. Transconductance Variation with Drain
Current and Temperature.
-15
-12
-9
-6
-3
0
0
3
6
9
12
I , DRAIN CURRENT (A)
g
TJ
25°C
F
V = -10V
DS
125°C
0.0001
0.001
0.01
0.1
t , TIME (sec)
1
10
100
300
0.001
0.01
0.1
1
T
Single Pulse
D = 0.5
0.1
0.05
0.01
0.2
Duty Cycle, D = t / t
2
P(pk)
1
t
1
t
2
r
0.02
R (t) = r(t) * R
R = See Note 1
T - T = P * R (t)
0.1
0.2
0.5
- V , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
1
2
5
10
20
30
0.01
0.05
0.1
0.5
1
2
5
10
15
-
RDS(ON) LIMIT
D
A
DC
1s
100ms
10ms
1ms
10s
V = -10V
SINGLE PULSE
R = See Note 1
T = 25°C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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