參數(shù)資料
型號： NDH8502P
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor（-2.2A，-30V，0.11Ω）(雙P溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管（漏電流-2.2A, 漏源電壓-30V，導(dǎo)通電阻0.11Ω）)
中文描述： 2200 mA, 30 V, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： SUPERSOT-8
文件頁數(shù)： 6/7頁
文件大小： 72K
代理商： NDH8502P
NDH8502P Rev.C
Figure 14. Maximum Safe Operating Area.
Typical Electrical and Thermal Characteristics
Figure 15. Transient Thermal Response Curve
.
Note: Thermal characterization performed using the conditions described in note 1. Transient thermal response will change
depending on the circuit board design.
0.1
0.2
0.5
- V , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
1
2
5
10
20
30
50
0.01
0.05
0.1
0.5
1
2
5
10
20
-
D
RDS(ON) LIMIT
A
DC
1s
100ms
10ms
1ms
10s
V = -4.5V
SINGLE PULSE
R = See Note 1c
T = 25°C
-20
-15
-10
-5
0
0
2
4
6
8
10
12
I , DRAIN CURRENT (A)
g
TJ
25°C
F
V = - 5V
DS
125°C
Figure 13. Transconductance Variation with Drain
Current and Temperature.
0.0001
0.001
0.01
0.1
t , TIME (sec)
1
1
10
100
300
0.001
0.01
0.1
1
T
r
Single Pulse
D = 0.5
0.1
0.05
0.02
0.01
0.2
Duty Cycle, D = t / t
2
R (t) = r(t) * R
R = See Notes 1
T - T = P * R (t)
P(pk)
t
1
t
2
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PDF描述
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