參數(shù)資料
型號(hào)： NDH8502P
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類(lèi)： 小信號(hào)晶體管
英文描述： Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor（-2.2A，-30V，0.11Ω）(雙P溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管（漏電流-2.2A, 漏源電壓-30V，導(dǎo)通電阻0.11Ω）)
中文描述： 2200 mA, 30 V, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： SUPERSOT-8
文件頁(yè)數(shù)： 5/7頁(yè)
文件大?。?/td> 72K
代理商： NDH8502P
NDH8502P Rev.C
Figure 7. Breakdown Voltage Variation with
Temperature.
Figure 8. Body Diode Forward Voltage Variation
with Current and Temperature
.
Figure 9. Capacitance Characteristics.
Figure 10. Gate Charge Characteristics.
Typical Electrical Characteristics
Figure 11. Switching Test Circuit
.
Figure 12. Switching Waveforms
.
-50
-25
0
T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
25
50
75
100
125
150
0.94
0.96
0.98
1
1.02
1.04
1.06
1.08
D
I = -250μA
B
D
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
20
30
50
100
200
400
600
800
1000
-VDS
C
C s
f = 1 MHz
V = 0 V
C ss
C s
0
2
4
Q , GATE CHARGE (nC)
6
8
10
12
0
2
4
6
8
10
-
V = -10V
I = -2.2A
-20V
G
-15V
0
0.2
-V , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
0.4
0.6
0.8
1
1.2
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
5
10
-
TJ
25°C
-55°C
V = 0V
S
D
S
-V
DD
R
L
V
OUT
V
GS
DUT
V
IN
R
GEN
G
10%
50%
90%
10%
90%
90%
50%
V
IN
V
OUT
on
off
d(off)
f
r
d(on)
t
t
t
t
t
t
INVERTED
10%
PULSE WIDTH
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PDF描述
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參數(shù)描述
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