參數(shù)資料
型號： NDF0610
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor（-0.18A，-60V，10Ω）(P溝道增強型MOS場效應管（漏電流-0.18A, 漏源電壓-60V，導通電阻10Ω）)
中文描述： 180 mA, 60 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92
文件頁數(shù)： 7/13頁
文件大?。?/td> 553K
代理商： NDF0610
TO-92 Tape and Reel Data and Package Dimensions, continued
September 1999, Rev. B
TO-92 Reeling Style
Configuration:
Figure 2.0
Style “A”, D26Z, D70Z (s/h)
Machine Option “A” (H)
Style “E”, D27Z, D71Z (s/h)
Machine Option “E” (J)
FIRST WIRE OFF IS EMITTER
ADHESIVE TAPE IS ON THE TOP SIDE
FLAT OF TRANSISTOR IS ON BOTTOM
ORDER STYLE
D75Z (P)
FIRST WIRE OFF IS COLLECTOR
ADHESIVE TAPE IS ON THE TOP SIDE
FLAT OF TRANSISTOR IS ON TOP
ORDER STYLE
D74Z (M)
TO-92 Radial Ammo Packaging
Configuration:
Figure 3.0
FIRST WIRE OFF IS EMITTER (ON PKG. 92)
ADHESIVE TAPE IS ON BOTTOM SIDE
FLAT OF TRANSISTOR IS ON BOTTOM
FIRST WIRE OFF IS COLLECTOR (ON PKG. 92)
ADHESIVE TAPE IS ON BOTTOM SIDE
FLAT OF TRANSISTOR IS ON TOP
相關PDF資料
PDF描述
NDS0610 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor（-0.12A，-60V，10Ω）(P溝道增強型MOS場效應管（漏電流-0.12A, 漏源電壓-60V，導通電阻10Ω）)
NDH8301N Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor（3A，20V，0.06Ω）(雙N溝道增強型場效應管（漏電流3A, 漏源電壓20V，導通電阻0.06Ω）)
NDH8303N N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor（3.8A，20V，0.035Ω）(N溝道增強型MOS場效應管（漏電流3.8A, 漏源電壓20V，導通電阻0.035Ω）)
NDH8304 Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDH8304P Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor（-2.7A，-20V，0.07Ω）(雙P溝道增強型場效應管（漏電流-2.7A, 漏源電壓-20V，導通電阻0.07Ω）)
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
NDF06N60Z 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:NDP06N60Z
NDF06N60ZG 功能描述:MOSFET NFET TO220FP 600V 6A .98R RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
NDF06N60ZH 功能描述:MOSFET NFET 600V 6A 980 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
NDF06N62Z 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:N-Channel Power MOSFET 620 V, 0.98 ,
NDF06N62ZG 功能描述:MOSFET Single N-Ch 620V 3.8A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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