參數(shù)資料
型號： NDF0610
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor（-0.18A，-60V，10Ω）(P溝道增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)管（漏電流-0.18A, 漏源電壓-60V，導(dǎo)通電阻10Ω）)
中文描述： 180 mA, 60 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92
文件頁數(shù)： 5/13頁
文件大?。?/td> 553K
代理商： NDF0610
NDS0610.SAM
1
2
5
10
20
30
60
80
0.005
0.01
0.05
0.1
0.5
1
2
3
- V , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
-
D
V = -10V
SINGLE PULSE
T = 25°C
RDS(ON) Limit
100ms
10s
1ms
10ms
DC
100us
1
2
5
10
20
30
60
80
0.005
0.01
0.05
0.1
0.5
1
2
3
- V , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
-
D
V = -10V
SINGLE PULSE
T = 25°C
RDS(ON) Lmit
100ms
10s
1ms
10ms
DC
100us
Figure 12. NDF0610 (TO-92)
Maximum Safe Operating Area
Figure 13. NDS0610 (SOT-23) Maximum Safe
Operating Area
Typical Electrical Characteristics
(continued)
0.0001
0.001
0.01
0.1
t , TIME (sec)
1
10
100
300
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1
T
Duty Cycle, D = t /t
2
R (t) = r(t) * R
R = 200 C/W
Datasheet)
T - T = P * R (t)
P(pk)
t
1
t
2
r
Single Pulse
D = 0.5
0.1
0.05
0.02
0.01
0.2
0.001
0.01
0.1
t , TIME (sec)
1
10
100
300
0.00.0001
0.002
0.01
0.05
0.1
0.2
0.5
1
T
r
Single Pulse
D = 0.5
0.1
0.05
0.02
0.01
0.2
Duty Cycle, D = t /t
2
R (t) = r(t) * R
R = 350 C/W
T - T = P * R (t)
P(pk)
t
1
t
2
Figure 14. NDF0610 (TO-92) Transient Thermal
Response Curve.
Figure 15. NDS0610 (SOT-23) Transient Thermal
Response Curve.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NDS0610 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor（-0.12A，-60V，10Ω）(P溝道增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)管（漏電流-0.12A, 漏源電壓-60V，導(dǎo)通電阻10Ω）)
NDH8301N Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor（3A，20V，0.06Ω）(雙N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管（漏電流3A, 漏源電壓20V，導(dǎo)通電阻0.06Ω）)
NDH8303N N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor（3.8A，20V，0.035Ω）(N溝道增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)管（漏電流3.8A, 漏源電壓20V，導(dǎo)通電阻0.035Ω）)
NDH8304 Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDH8304P Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor（-2.7A，-20V，0.07Ω）(雙P溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管（漏電流-2.7A, 漏源電壓-20V，導(dǎo)通電阻0.07Ω）)
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參數(shù)描述
NDF06N60Z 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:NDP06N60Z
NDF06N60ZG 功能描述:MOSFET NFET TO220FP 600V 6A .98R RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
NDF06N60ZH 功能描述:MOSFET NFET 600V 6A 980 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
NDF06N62Z 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:N-Channel Power MOSFET 620 V, 0.98 ,
NDF06N62ZG 功能描述:MOSFET Single N-Ch 620V 3.8A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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