參數(shù)資料
型號(hào)： NDB6030L
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor（52A,30V，0.00135Ω）(N溝道邏輯電平增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管（漏電流52A, 漏源電壓30V，導(dǎo)通電阻0.0135Ω）)
中文描述： 52 A, 30 V, 0.0135 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB
文件頁(yè)數(shù)： 6/12頁(yè)
文件大?。?/td> 357K
代理商： NDB6030L
NDP6030L Rev.E
0
10
20
30
40
0
10
20
30
40
50
I , DRAIN CURRENT (A)
g
25°C
F
V =10V
125°C
TJ
Figure 13. Transconductance Variation with Drain
Current and Temperature
.
Figure 14. Maximum Safe Operating Area
.
Typical Electrical Characteristics
(continued)
0.01
0.1
1
10
100
1000
0.01
0.02
0.03
0.05
0.1
0.2
0.3
0.5
1
t ,TIME (ms)
T
Single Pulse
D = 0.5
0.1
0.05
0.02
0.2
Duty Cycle, D = t /t
2
R (t) = r(t) * R
R = 2.0 °C/W
T - T = P * R JC
P(pk)
t
1
t
2
r
0.01
0.1
0.5
V , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V))
1
2
5
10
30
50
0.5
1
2
5
10
20
50
100
200
I
D
100μs
1ms
100ms
DC
10ms
R Lmt
DSON
V = 10V
SINGLE PULSE
R = 2.0 C/W
T = 25°C
Figure 15. Transient Thermal Response Curve.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NDB6030PL P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor（-30A,-30V，0.042Ω）(P溝道邏輯增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管（漏電流-30A, 漏源電壓-30V，導(dǎo)通電阻0.042Ω）)
NDB6050L N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDP6050L N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor（48A,50V，0.025Ω）(N溝道邏輯增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管（漏電流48A, 漏源電壓50V，導(dǎo)通電阻0.025Ω）)
NDB6050 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDP6050 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor（48A,50V，0.025Ω）(N溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管（漏電流48A, 漏源電壓50V，導(dǎo)通電阻0.025Ω）)
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參數(shù)描述
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