參數(shù)資料
型號(hào)： NDB6030L
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類(lèi)： JFETs
英文描述： N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor（52A,30V，0.00135Ω）(N溝道邏輯電平增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管（漏電流52A, 漏源電壓30V，導(dǎo)通電阻0.0135Ω）)
中文描述： 52 A, 30 V, 0.0135 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB
文件頁(yè)數(shù)： 4/12頁(yè)
文件大?。?/td> 357K
代理商： NDB6030L
NDP6030L Rev.E
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
0
10
20
30
40
50
60
V , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
V = 10V
3.0
2.5
3.5
4.0
5.0
6.0
4.5
0
10
20
30
40
50
60
0.5
1
1.5
2
2.5
3
I , DRAIN CURRENT (A)
D
R
D
V =3.0V
4.5
5.0
3.5
4.0
10
6.0
Figure 1. On-Region Characteristics
.
Figure 2. On-Resistance Variation
with Drain Current and Gate Voltage.
Typical Electrical Characteristics
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
D
V = 10V
I = 26A
R
D
0
10
20
30
40
50
60
0.5
0.75
1
1.25
1.5
1.75
2
I , DRAIN CURRENT (A)
D
V = 10V
J
25°C
-55°C
R
D
Figure 3. On-Resistance Variation
with Temperature
.
Figure 4. On-Resistance Variation
with Drain Current and Temperature
.
0
1
2
3
4
5
0
10
20
30
40
50
V , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
I
25°C
125°C
V = 10V
D
J
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
G
V
G
I = 250μA
V = V
GS
Figure 5. Transfer Characteristics
.
Figure 6. Gate Threshold Variation
with Temperature
.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NDB6030PL P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor（-30A,-30V，0.042Ω）(P溝道邏輯增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管（漏電流-30A, 漏源電壓-30V，導(dǎo)通電阻0.042Ω）)
NDB6050L N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDP6050L N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor（48A,50V，0.025Ω）(N溝道邏輯增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管（漏電流48A, 漏源電壓50V，導(dǎo)通電阻0.025Ω）)
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