參數(shù)資料
型號： NDB6030L
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor（52A,30V，0.00135Ω）(N溝道邏輯電平增強型MOS場效應(yīng)管（漏電流52A, 漏源電壓30V，導(dǎo)通電阻0.0135Ω）)
中文描述： 52 A, 30 V, 0.0135 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB
文件頁數(shù)： 3/12頁
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代理商： NDB6030L
Electrical Characteristics
(T
C
= 25°C unless otherwise noted)
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Units
SWITCHING CHARACTERISTICS
(Note 1)
t
D(on)
Turn - On Delay Time
V
DD
= 15 V, I
D
= 52 A,
V
GS
= 10 V, R
GEN
=
24
8
16
nS
t
r
t
D(off)
Turn - On Rise Time
130
250
nS
Turn - Off Delay Time
45
90
nS
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
DRAIN-SOURCE DIODE CHARACTERISTICS
Turn - Off Fall Time
108
200
nS
Total Gate Charge
V
= 10 V
I
D
= 52 A , V
GS
=10 V
44
60
nC
Gate-Source Charge
6
nC
Gate-Drain Charge
14
nC
I
S
I
SM
V
SD
Maximum Continuos Drain-Source Diode Forward Current
52
A
Maximum Pulsed Drain-Source Diode Forward Current
120
A
Drain-Source Diode Forward Voltage
V
GS
= 0 V, I
S
= 26 A (
Note 1)
0.93
1.3
V
T
J
= 125°C
0.85
1.2
Note:
1. Pulse Test: Pulse Width < 300 μs, Duty Cycle < 2.0%.
NDP6030L Rev.E
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PDF描述
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