參數(shù)資料
型號： NDB6030L
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor（52A,30V，0.00135Ω）(N溝道邏輯電平增強型MOS場效應(yīng)管（漏電流52A, 漏源電壓30V，導通電阻0.0135Ω）)
中文描述： 52 A, 30 V, 0.0135 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB
文件頁數(shù)： 5/12頁
文件大?。?/td> 357K
代理商： NDB6030L
NDP6030L Rev.E
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
0.9
0.95
1
1.05
1.1
1.15
T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
D
I = 250μA
B
D
Figure 7. Breakdown Voltage
Variation with Temperature
.
Figure 8. Body Diode Forward Voltage Variation
with Source Current and
Temperature.
Typical Electrical Characteristics
(continued)
0
10
20
30
40
50
0
2
4
6
8
10
Q , GATE CHARGE (nC)
V
G
20V
I = 52A
D
V = 10V
15V
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
30
200
300
500
1000
2000
3000
5000
V , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
C
f = 1 MHz
V = 0V
C ss
C s
C ss
G
D
S
V
DD
R
L
V
V
IN
OUT
V
GS
DUT
R
GEN
Figure 9. Capacitance Characteristics
.
Figure 10. Gate Charge Characteristics.
Figure 11. Switching Test Circuit
.
Figure 12. Switching Waveforms
.
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
5
20
50
V , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
I
V = 0V
TJ
25°C
-55°C
S
10%
50%
90%
10%
90%
90%
50%
V
IN
V
OUT
on
off
d(off)
f
r
d(on)
t
t
t
t
t
t
INVERTED
10%
PULSE WIDTH
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NDB6030PL P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor（-30A,-30V，0.042Ω）(P溝道邏輯增強型MOS場效應(yīng)管（漏電流-30A, 漏源電壓-30V，導通電阻0.042Ω）)
NDB6050L N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDP6050L N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor（48A,50V，0.025Ω）(N溝道邏輯增強型MOS場效應(yīng)管（漏電流48A, 漏源電壓50V，導通電阻0.025Ω）)
NDB6050 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
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參數(shù)描述
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