參數(shù)資料
型號(hào)： NAND04GA3C2AN1E
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： 4Gbit, 2112 Byte Page, 3V, Multi-level NAND Flash Memory
中文描述： 4Gbit的，2112字節(jié)的頁(yè)，3V供電，多級(jí)NAND閃存
文件頁(yè)數(shù)： 39/51頁(yè)
文件大?。?/td> 374K
代理商： NAND04GA3C2AN1E
NAND04GA3C2A, NAND04GW3C2A
12 DC and AC parameters
39/51
Figure 13.
Command Latch AC Waveforms
Figure 14.
Address Latch AC Waveforms
ai12705
CL
E
W
AL
I/O
tCLHWH
(CL Setup time)
tELWH
H(E Setup time)
tWHCLL
(CL Hold time)
tWHEH
(E Hold time)
tWLWH
tALLWH
(ALSetup time)
tWHALH
(AL Hold time)
Command
tDVWH
tWHDX
(Data Hold time)
(Data Setup time)
ai12706
CL
E
W
AL
I/O
tWLWH
tELWH
(E Setup time)
tWLWL
(CL Setup time)
tWHWL
tALHWH
(AL Setup time)
(Data Setup time)
tWLWL
tWLWL
tWLWH
tWLWH
tWLWH
tWHWL
tWHWL
tWHDX
(Data Hold time)
(AL Hold time)
tDVWH
tWHDX
tDVWH
tWHDX
tDVWH
tWHDX
tWHALL
Adrress
cycle 1
tWHALL
Adrress
cycle 4
Adrress
cycle 3
Adrress
cycle 2
Adrress
cycle 5
tWLWL
tWLWH
tDVWH
tWHDX
tWHWL
tWHALL
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NAND04GA3C2AN6F 4Gbit, 2112 Byte Page, 3V, Multi-level NAND Flash Memory
NAND04GW3C2AN6E 4Gbit, 2112 Byte Page, 3V, Multi-level NAND Flash Memory
NAND128R3A2AZA1 128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories
NAND128W3A0AV6 128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories
NAND256R3A0AZB6 128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories
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參數(shù)描述
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NAND04GR3B2DZL6F 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Tape and Reel
NAND04GR3B2EN6E 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Trays
NAND04GR3B2EN6F 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Tape and Reel
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