參數(shù)資料
型號： NAND04GA3C2AN1E
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： 4Gbit, 2112 Byte Page, 3V, Multi-level NAND Flash Memory
中文描述： 4Gbit的，2112字節(jié)的頁，3V供電，多級NAND閃存
文件頁數(shù)： 33/51頁
文件大?。?/td> 374K
代理商： NAND04GA3C2AN1E
NAND04GA3C2A, NAND04GW3C2A
10 Program and erase times and endurance cycles
33/51
10
Program and erase times and endurance cycles
The Program and Erase times and the number of Program/ Erase cycles per block are
shown in
Table 14
Program, Erase Times and Program Erase Endurance Cycles
Table 14.
Parameters
NAND04GA3C2A, NAND04GW3C2A
Unit
Min
Typ
Max
Page Program Time
800
2000
μs
Block Erase Time
1.5
3
ms
Program/Erase Cycles (per block)
10,000
cycles
Data Retention
10
years
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PDF描述
NAND04GA3C2AN6F 4Gbit, 2112 Byte Page, 3V, Multi-level NAND Flash Memory
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