參數(shù)資料
型號(hào)： NAND04GA3C2AN1E
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： 4Gbit, 2112 Byte Page, 3V, Multi-level NAND Flash Memory
中文描述： 4Gbit的，2112字節(jié)的頁，3V供電，多級(jí)NAND閃存
文件頁數(shù)： 30/51頁
文件大?。?/td> 374K
代理商： NAND04GA3C2AN1E
9 Software algorithms
NAND04GA3C2A, NAND04GW3C2A
30/51
Block Failure
Figure 11.
Bad Block Management Flowchart
Figure 12.
Garbage Collection
Table 13.
Operation
Recommended Procedure
Erase
Block Replacement
Program
Block Replacement or ECC
(1)
Read
ECC
(1)
1.
Example: 4 bit correction per 528 Bytes.
AI07588C
START
END
NO
YES
YES
NO
Block Address =
Block 0
Data
= FFh
Last
block
Increment
Block Address
Update
Bad Block table
Valid
Page
Invalid
Page
Free
Page
(Erased)
Old Area
AI07599B
New Area (After GC)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NAND04GA3C2AN6F 4Gbit, 2112 Byte Page, 3V, Multi-level NAND Flash Memory
NAND04GW3C2AN6E 4Gbit, 2112 Byte Page, 3V, Multi-level NAND Flash Memory
NAND128R3A2AZA1 128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories
NAND128W3A0AV6 128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories
NAND256R3A0AZB6 128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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NAND04GR3B2EN6E 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Trays
NAND04GR3B2EN6F 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Tape and Reel
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