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參數(shù)資料
| 型號： | NAND01GR4B2BZA1F |
| 廠商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分類： | PROM |
| 英文描述： | 64M X 16 FLASH 1.8V PROM, 25000 ns, PBGA63 |
| 封裝： | 9 X 11 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, VFBGA-63 |
| 文件頁數(shù)： | 53/63頁 |
| 文件大?。?/td> | 684K |
| 代理商： | NAND01GR4B2BZA1F |
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NAND01G-B2B, NAND02G-B2C
DC And AC parameters
57/63
Figure 33.
Resistor Value Versus Waveform Timings For Ready/Busy Signal
1.
T = 25°C.
11.2
Data Protection
The ST NAND device is designed to guarantee Data Protection during Power Transitions.
A VDD detection circuit disables all NAND operations, if VDD is below the VLKO threshold.
In the VDD range from VLKO to the lower limit of nominal range, the WP pin should be kept
low (VIL) to guarantee hardware protection during power transitions as shown in the below
figure.
Figure 34.
Data Protection
ai07565B
RP (K)
12
3
4
100
300
200
t r
,t
f
(ns)
1
2
3
1.7
0.85
30
1.7
tr
tf
ibusy
0
400
4
RP (K)
12
3
4
100
300
200
1
2
3
ibusy
(mA)
2.4
1.2
0.8
0.6
100
200
300
400
3.6
0
400
4
VDD = 1.8V, CL = 30pF
VDD = 3.3V, CL = 100pF
t r
,t
f
(ns)
ibusy
(mA)
60
90
120
0.57
0.43
Ai11086
VLKO
VDD
W
Nominal Range
Locked
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NAND08GR4B3AZB6 | 512M X 16 FLASH 1.8V PROM, 25000 ns, PBGA63 |
| NAND256W4A2AZA6E | 16M X 16 FLASH 3V PROM, 12000 ns, PBGA55 |
| NCP303LSN41T1 | 1-CHANNEL POWER SUPPLY SUPPORT CKT, PDSO5 |
| NCS6416DWG | 8-CHANNEL, VIDEO MULTIPLEXER, PDSO20 |
| NCS6S4803L5C | 1-OUTPUT 5 W DC-DC REG PWR SUPPLY MODULE |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| NAND01GR4B2BZA6 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory |
| NAND01GR4B2BZA6E | 制造商:NUMONYX 制造商全稱:Numonyx B.V 功能描述:1-Gbit, 2-Gbit, 2112-byte/1056-word page, 1.8 V/3 V, NAND flash memory |
| NAND01GR4B2BZA6F | 制造商:NUMONYX 制造商全稱:Numonyx B.V 功能描述:1-Gbit, 2-Gbit, 2112-byte/1056-word page, 1.8 V/3 V, NAND flash memory |
| NAND01GR4B2BZB1 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory |
| NAND01GR4B2BZB6 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory |
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