參數(shù)資料
型號(hào)： NAND01GR4B2BZA1F
廠(chǎng)商： STMICROELECTRONICS
元件分類(lèi)： PROM
英文描述： 64M X 16 FLASH 1.8V PROM, 25000 ns, PBGA63
封裝： 9 X 11 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, VFBGA-63
文件頁(yè)數(shù)： 47/63頁(yè)
文件大?。?/td> 684K
代理商： NAND01GR4B2BZA1F
NAND01G-B2B, NAND02G-B2C
DC And AC parameters
51/63
Figure 24.
Read Electronic Signature AC Waveform
1.
Refer to Table 14 for the values of the Manufacturer and Device Codes, and to Table 15 and Table 16 for the information
contained in Byte 3 and 4.
90h
00h
Man.
code
Device
code
CL
E
W
AL
R
I/O
tRLQV
Read Electronic
Signature
Command
1st Cycle
Address
ai08667
(Read ES Access time)
tALLRL1
00h
Byte4
Byte3
Byte1
Byte2
see Note.1
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NAND08GR4B3AZB6 512M X 16 FLASH 1.8V PROM, 25000 ns, PBGA63
NAND256W4A2AZA6E 16M X 16 FLASH 3V PROM, 12000 ns, PBGA55
NCP303LSN41T1 1-CHANNEL POWER SUPPLY SUPPORT CKT, PDSO5
NCS6416DWG 8-CHANNEL, VIDEO MULTIPLEXER, PDSO20
NCS6S4803L5C 1-OUTPUT 5 W DC-DC REG PWR SUPPLY MODULE
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
NAND01GR4B2BZA6 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱(chēng):STMicroelectronics 功能描述:1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory
NAND01GR4B2BZA6E 制造商:NUMONYX 制造商全稱(chēng):Numonyx B.V 功能描述:1-Gbit, 2-Gbit, 2112-byte/1056-word page, 1.8 V/3 V, NAND flash memory
NAND01GR4B2BZA6F 制造商:NUMONYX 制造商全稱(chēng):Numonyx B.V 功能描述:1-Gbit, 2-Gbit, 2112-byte/1056-word page, 1.8 V/3 V, NAND flash memory
NAND01GR4B2BZB1 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱(chēng):STMicroelectronics 功能描述:1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory
NAND01GR4B2BZB6 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱(chēng):STMicroelectronics 功能描述:1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory
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