參數(shù)資料
型號(hào)： NAND01GR4B2BZA1F
廠商： STMICROELECTRONICS
元件分類： PROM
英文描述： 64M X 16 FLASH 1.8V PROM, 25000 ns, PBGA63
封裝： 9 X 11 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, VFBGA-63
文件頁(yè)數(shù)： 51/63頁(yè)
文件大小： 684K
代理商： NAND01GR4B2BZA1F
NAND01G-B2B, NAND02G-B2C
DC And AC parameters
55/63
Figure 29.
Program/Erase Enable Waveform
Figure 30.
Program/Erase Disable Waveform
11.1
Ready/Busy Signal electrical characteristics
Figure 32, Figure 31 and Figure 33 show the electrical characteristics for the Ready/Busy
signal. The value required for the resistor RP can be calculated using the following equation:
So,
where IL is the sum of the input currents of all the devices tied to the Ready/Busy signal. RP
max is determined by the maximum value of tr.
W
RB
tVHWH
ai12477
WP
I/O
80h
10h
W
RB
tVLWH
ai12478
WP
I/O
80h
10h
High
R
P
min
VDDmax VOLmax
–
()
IOL
IL
+
-------------------------------------------------------------
=
R
P
min 1.8V
()
1.85V
3mA
IL
+
---------------------------
=
R
P
min 3V
()
3.2V
8mA
IL
+
---------------------------
=
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NAND08GR4B3AZB6 512M X 16 FLASH 1.8V PROM, 25000 ns, PBGA63
NAND256W4A2AZA6E 16M X 16 FLASH 3V PROM, 12000 ns, PBGA55
NCP303LSN41T1 1-CHANNEL POWER SUPPLY SUPPORT CKT, PDSO5
NCS6416DWG 8-CHANNEL, VIDEO MULTIPLEXER, PDSO20
NCS6S4803L5C 1-OUTPUT 5 W DC-DC REG PWR SUPPLY MODULE
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
NAND01GR4B2BZA6 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory
NAND01GR4B2BZA6E 制造商:NUMONYX 制造商全稱:Numonyx B.V 功能描述:1-Gbit, 2-Gbit, 2112-byte/1056-word page, 1.8 V/3 V, NAND flash memory
NAND01GR4B2BZA6F 制造商:NUMONYX 制造商全稱:Numonyx B.V 功能描述:1-Gbit, 2-Gbit, 2112-byte/1056-word page, 1.8 V/3 V, NAND flash memory
NAND01GR4B2BZB1 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory
NAND01GR4B2BZB6 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory
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