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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | NAND01GR4B2BZA1F |
| 廠商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分類(lèi)： | PROM |
| 英文描述： | 64M X 16 FLASH 1.8V PROM, 25000 ns, PBGA63 |
| 封裝： | 9 X 11 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, VFBGA-63 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 40/63頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 684K |
| 代理商： | NAND01GR4B2BZA1F |
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NAND01G-B2B, NAND02G-B2C
DC And AC parameters
45/63
Table 23.
DC Characteristics, 3V Devices
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
IDD1
Operating
Current
Sequential
Read
tRLRL minimum
E=VIL, IOUT = 0 mA
-10
20
mA
IDD2
Program
-
-10
20
mA
IDD3
Erase
-
-10
20
mA
IDD4
Standby current (TTL)(1)
E=VIH, WP=0/VDD
1
mA
IDD5
Standby Current (CMOS)(1)
E=VDD-0.2,
WP=0/VDD
-
10
50
A
ILI
Input Leakage Current(1)
VIN= 0 to VDDmax
-
±10
A
ILO
Output Leakage Current(1)
VOUT= 0 to VDDmax
-
±10
A
VIH
Input High Voltage
-
0.8VDD
-
VDD+0.3
V
VIL
Input Low Voltage
-
-0.3
-
0.2VDD
V
VOH
Output High Voltage Level
IOH = -400A
2.4
-
V
VOL
Output Low Voltage Level
IOL = 2.1mA
-
0.4
V
IOL (RB)
Output Low Current (RB)
VOL = 0.4V
8
10
mA
VLKO
VDD Supply Voltage (Erase and
Program lockout)
-
1.7
V
1.
Leakage current and standby current double in stacked devices
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NAND08GR4B3AZB6 | 512M X 16 FLASH 1.8V PROM, 25000 ns, PBGA63 |
| NAND256W4A2AZA6E | 16M X 16 FLASH 3V PROM, 12000 ns, PBGA55 |
| NCP303LSN41T1 | 1-CHANNEL POWER SUPPLY SUPPORT CKT, PDSO5 |
| NCS6416DWG | 8-CHANNEL, VIDEO MULTIPLEXER, PDSO20 |
| NCS6S4803L5C | 1-OUTPUT 5 W DC-DC REG PWR SUPPLY MODULE |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| NAND01GR4B2BZA6 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱(chēng):STMicroelectronics 功能描述:1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory |
| NAND01GR4B2BZA6E | 制造商:NUMONYX 制造商全稱(chēng):Numonyx B.V 功能描述:1-Gbit, 2-Gbit, 2112-byte/1056-word page, 1.8 V/3 V, NAND flash memory |
| NAND01GR4B2BZA6F | 制造商:NUMONYX 制造商全稱(chēng):Numonyx B.V 功能描述:1-Gbit, 2-Gbit, 2112-byte/1056-word page, 1.8 V/3 V, NAND flash memory |
| NAND01GR4B2BZB1 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱(chēng):STMicroelectronics 功能描述:1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory |
| NAND01GR4B2BZB6 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱(chēng):STMicroelectronics 功能描述:1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory |
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