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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MX29LV640BUTC-12G |
| 廠商： | MACRONIX INTERNATIONAL CO LTD |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 64M-BIT [4M x 16] CMOS EQUAL SECTOR FLASH MEMORY |
| 中文描述： | 4M X 16 FLASH 2.7V PROM, 120 ns, PDSO48 |
| 封裝： | 12 X 20 MM, ROHS COMPLIANT, MO-142, TSOP1-48 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 43/64頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 509K |
| 代理商： | MX29LV640BUTC-12G |
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43
P/N:PM1081
REV. 1.0, MAR. 08, 2005
MX29LV640BU
Figure 11. CE# CONTROLLED PROGRAM TIMING WAVEFORM
tWC
tWH
tGHEL
tWHWH1 or 2
tCP
Address
WE#
OE#
CE#
Data
Q7
PA
Data# Polling
DOUT
RESET #
RY/BY#
NOTES:
1.PA=Program Address, PD=Program Data, DOUT=Data Out, Q7=complement of data written to device.
2.Figure indicates the last two bus cycles of the command sequence.
tAH
tAS
PA for program
SA for sector erase
555 for chip erase
tRH
tDH
tDS
tWS
A0 for program
55 for erase
tCPH
tBUSY
PD for program
30 for sector erase
10 for chip erase
555 for program
2AA for erase
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PDF描述 |
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