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參數(shù)資料
| 型號： | MX29LV640BUTC-12G |
| 廠商： | MACRONIX INTERNATIONAL CO LTD |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 64M-BIT [4M x 16] CMOS EQUAL SECTOR FLASH MEMORY |
| 中文描述： | 4M X 16 FLASH 2.7V PROM, 120 ns, PDSO48 |
| 封裝： | 12 X 20 MM, ROHS COMPLIANT, MO-142, TSOP1-48 |
| 文件頁數(shù)： | 22/64頁 |
| 文件大?。?/td> | 509K |
| 代理商： | MX29LV640BUTC-12G |
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22
P/N:PM1081
REV. 1.0, MAR. 08, 2005
MX29LV640BU
Table 4-1. CFI mode: Identification Data Values
(All values in these tables are in hexadecimal)
Description
Query-unique ASCII string "QRY"
Address h
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
1A
Data h
0051
0052
0059
0002
0000
0040
0000
0000
0000
0000
0000
Primary vendor command set and control interface ID code
Address for primary algorithm extended query table
Alternate vendor command set and control interface ID code (none)
Address for secondary algorithm extended query table (none)
Table 4-2. CFI Mode: System Interface Data Values
Description
VCC supply, minimum (2.7V)
VCC supply, maximum (3.6V)
VPP supply, minimum (none)
VPP supply, maximum (none)
Typical timeout for single word/byte write (2
N
us)
Typical timeout for maximum size buffer write (2
N
us)
Typical timeout for individual block erase (2
N
ms)
Typical timeout for full chip erase (2
N
ms)
Maximum timeout for single word/byte write times (2
N
X Typ)
Maximum timeout for maximum size buffer write times (2
N
X Typ)
Maximum timeout for individual block erase times (2
N
X Typ)
Maximum timeout for full chip erase times (not supported)
Address h
1B
1C
1D
1E
1F
20
21
22
23
24
25
26
Data h
0027
0036
0000
0000
0004
0000
000A
0000
0005
0000
0004
0000
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MX29LV640BUTC-90 | 64M-BIT [4M x 16] CMOS EQUAL SECTOR FLASH MEMORY |
| MX29LV640BUTC-90G | 64M-BIT [4M x 16] CMOS EQUAL SECTOR FLASH MEMORY |
| MX29LV640BUTI-12 | 64M-BIT [4M x 16] CMOS EQUAL SECTOR FLASH MEMORY |
| MX29LV640BUTI-12G | 64M-BIT [4M x 16] CMOS EQUAL SECTOR FLASH MEMORY |
| MX29LV640BUTI-90 | 64M-BIT [4M x 16] CMOS EQUAL SECTOR FLASH MEMORY |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| MX29LV640EBXEI-70G | 功能描述:IC FLASH PAR 64MB 70NS 48FBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:MX29LV 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:閃存 - NAND 存儲容量:4G（256M x 16） 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP I 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:557-1461-6 |
| MX29LV640EBXEI-70GTR | 制造商:Macronix International Co Ltd 功能描述:MX29LV Series 3 V 64 Mb (8M x 8/4M x 16) 70 ns Parallel Flash - TFBGA-48 |
| MX29LV640EBXEI-90G | 制造商:Macronix International Co Ltd 功能描述:MX29LV Series 3 V 64 Mb (8M x 8/4M x 16) 90 ns Parallel Flash - TFBGA-48 |
| MX29LV640ETTI-70G | 功能描述:IC FLASH PAR 3V 64MB 70NS 48TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:MX29LV 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:閃存 - NAND 存儲容量:4G（256M x 16） 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP I 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:557-1461-6 |
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