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參數(shù)資料
| 型號： | MX29LV640BUTC-12G |
| 廠商： | MACRONIX INTERNATIONAL CO LTD |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 64M-BIT [4M x 16] CMOS EQUAL SECTOR FLASH MEMORY |
| 中文描述： | 4M X 16 FLASH 2.7V PROM, 120 ns, PDSO48 |
| 封裝： | 12 X 20 MM, ROHS COMPLIANT, MO-142, TSOP1-48 |
| 文件頁數(shù)： | 40/64頁 |
| 文件大?。?/td> | 509K |
| 代理商： | MX29LV640BUTC-12G |
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40
P/N:PM1081
REV. 1.0, MAR. 08, 2005
MX29LV640BU
AC CHARACTERISTICS
Erase and Program Operations
Parameter
Std.
tWC
tCWC
tAS
tASO
tAH
tAHT
Speed Options
90
90
90
0
15
45
0
Description
Write Cycle Time (Note 1)
Command Write Cycle Time (Note 1)
Address Setup Time
Address Setup Time to OE# low during toggle bit polling
Address Hold Time
Address Hold Time From CE# or OE# high during toggle
bit polling
Data Setup Time
Data Hold Time
Output Enable High during toggle bit polling
Read Recovery Time Before Write
(OE# High to WE# Low)
Read Recovery Time Before Write
CE# Setup Time
CE# Hold Time
Write Pulse Width
Write Pulse Width High
Word Programming Operation (Note 2)
Sector Erase Operation (Note 2)
VHH Rise and Fall Time (Note 1)
VCC Setup Time (Note 1)
Write Recovery Time from RY/BY#
Program/Erase Valid to RY/BY# Delay
120
120
120
Unit
ns
ns
ns
ns
ns
ns
Min
Min
Min
Min
Min
Min
50
tDS
tDH
tOEPH
tGHWL
Min
Min
Min
Min
45
50
ns
ns
ns
ns
0
20
0
tGHEL
tCS
tCH
tWP
tWPH
tWHWH1
tWHWH2
tVHH
tVCS
tRB
tBUSY
Min
Min
Min
Min
Min
Typ
Typ
Min
Min
Min
Min
0
0
0
ns
ns
ns
ns
ns
us
sec
ns
us
ns
ns
35
50
30
11
1.6
250
50
0
90
Notes:
1. Not 100% tested.
2. See the "Erase And Programming Performance" section for more information.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MX29LV640BUTC-90 | 64M-BIT [4M x 16] CMOS EQUAL SECTOR FLASH MEMORY |
| MX29LV640BUTC-90G | 64M-BIT [4M x 16] CMOS EQUAL SECTOR FLASH MEMORY |
| MX29LV640BUTI-12 | 64M-BIT [4M x 16] CMOS EQUAL SECTOR FLASH MEMORY |
| MX29LV640BUTI-12G | 64M-BIT [4M x 16] CMOS EQUAL SECTOR FLASH MEMORY |
| MX29LV640BUTI-90 | 64M-BIT [4M x 16] CMOS EQUAL SECTOR FLASH MEMORY |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MX29LV640EBTI-70G | 功能描述:IC FLASH PAR 3V 64MB 70NS 48TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:MX29LV 標準包裝:1 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:閃存 - NAND 存儲容量:4G（256M x 16） 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應商設備封裝:48-TSOP I 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:557-1461-6 |
| MX29LV640EBXEI-70G | 功能描述:IC FLASH PAR 64MB 70NS 48FBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:MX29LV 標準包裝:1 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:閃存 - NAND 存儲容量:4G（256M x 16） 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應商設備封裝:48-TSOP I 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:557-1461-6 |
| MX29LV640EBXEI-70GTR | 制造商:Macronix International Co Ltd 功能描述:MX29LV Series 3 V 64 Mb (8M x 8/4M x 16) 70 ns Parallel Flash - TFBGA-48 |
| MX29LV640EBXEI-90G | 制造商:Macronix International Co Ltd 功能描述:MX29LV Series 3 V 64 Mb (8M x 8/4M x 16) 90 ns Parallel Flash - TFBGA-48 |
| MX29LV640ETTI-70G | 功能描述:IC FLASH PAR 3V 64MB 70NS 48TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:MX29LV 標準包裝:1 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:閃存 - NAND 存儲容量:4G（256M x 16） 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應商設備封裝:48-TSOP I 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:557-1461-6 |
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