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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MX29LV640BUTC-12G |
| 廠商： | MACRONIX INTERNATIONAL CO LTD |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 64M-BIT [4M x 16] CMOS EQUAL SECTOR FLASH MEMORY |
| 中文描述： | 4M X 16 FLASH 2.7V PROM, 120 ns, PDSO48 |
| 封裝： | 12 X 20 MM, ROHS COMPLIANT, MO-142, TSOP1-48 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 34/64頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 509K |
| 代理商： | MX29LV640BUTC-12G |
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34
P/N:PM1081
REV. 1.0, MAR. 08, 2005
MX29LV640BU
Figure 3. RESET# TIMING WAVEFORM
AC CHARACTERISTICS
Parameter
Description
Test Setup
All Speed Options Unit
tREADY1
RESET# PIN Low (During Automatic Algorithms)
MAX
20
us
to Read or Write (See Note)
tREADY2
RESET# PIN Low (NOT During Automatic
MAX
500
ns
Algorithms) to Read or Write (See Note)
tRP
RESET# Pulse Width (NOT During Automatic Algorithms) MIN
500
ns
tRH
RESET# High Time Before Read (See Note)
MIN
50
ns
tRB
RY/BY# Recovery Time (to CE#, OE# go low)
MIN
0
ns
tRPD
RESET# Low to Standby Mode
MIN
20
us
Note:Not 100% tested
tRH
tRB
tReady1
tRP
tRP
tReady2
RY/BY#
CE#, OE#
RESET#
Reset Timing NOT during Automatic Algorithms
Reset Timing during Automatic Algorithms
RY/BY#
CE#, OE#
RESET#
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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