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參數(shù)資料
| 型號： | MX29LV640BUTC-12G |
| 廠商： | MACRONIX INTERNATIONAL CO LTD |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 64M-BIT [4M x 16] CMOS EQUAL SECTOR FLASH MEMORY |
| 中文描述： | 4M X 16 FLASH 2.7V PROM, 120 ns, PDSO48 |
| 封裝： | 12 X 20 MM, ROHS COMPLIANT, MO-142, TSOP1-48 |
| 文件頁數(shù)： | 35/64頁 |
| 文件大?。?/td> | 509K |
| 代理商： | MX29LV640BUTC-12G |
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35
P/N:PM1081
REV. 1.0, MAR. 08, 2005
MX29LV640BU
ERASE/PROGRAM OPERATION
Figure 4. AUTOMATIC CHIP/SECTOR ERASE TIMING WAVEFORM
tWC
Address
OE#
CE#
55h
2AAh
SA
30h
ProIn
VA
VA
NOTES:
1.SA=sector address(for Sector Erase), VA=Valid Address for reading status data(see "Write Operation Status").
tAS
tAH
555h for chip erase
tCH
tWP
tDS
tDH
tWHWH2
Read Status Data
Erase Command Sequence(last two cycle)
tBUSY
tRB
tCS
tWPH
10 for Chip Erase
tVCS
WE#
Data
RY/BY#
VCC
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MX29LV640BUTC-90 | 64M-BIT [4M x 16] CMOS EQUAL SECTOR FLASH MEMORY |
| MX29LV640BUTC-90G | 64M-BIT [4M x 16] CMOS EQUAL SECTOR FLASH MEMORY |
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| MX29LV640BUTI-12G | 64M-BIT [4M x 16] CMOS EQUAL SECTOR FLASH MEMORY |
| MX29LV640BUTI-90 | 64M-BIT [4M x 16] CMOS EQUAL SECTOR FLASH MEMORY |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| MX29LV640EBXEI-70G | 功能描述:IC FLASH PAR 64MB 70NS 48FBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:MX29LV 標準包裝:1 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:閃存 - NAND 存儲容量:4G（256M x 16） 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP I 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:557-1461-6 |
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| MX29LV640ETTI-70G | 功能描述:IC FLASH PAR 3V 64MB 70NS 48TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:MX29LV 標準包裝:1 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:閃存 - NAND 存儲容量:4G（256M x 16） 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP I 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:557-1461-6 |
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