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參數(shù)資料
| 型號： | MX28F640C3BTC-12 |
| 廠商： | MACRONIX INTERNATIONAL CO LTD |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 64M-BIT [4M x16] CMOS SINGLE VOLTAGE 3V ONLY FLASH MEMORY |
| 中文描述： | 4M X 16 FLASH 3V PROM, 120 ns, PDSO48 |
| 封裝： | 12 X 20 MM, MO-142, TSOP1-48 |
| 文件頁數(shù)： | 37/44頁 |
| 文件大小： | 653K |
| 代理商： | MX28F640C3BTC-12 |
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P/N:PM0900
MX28F640C3T/B
REV. 0.6, AUG. 20, 2003
7 VPP Program and Erase Voltage
When VPP is between 1.65V and 3.6V, all program and
erase current is drawn through the VCC pin. If VPP is
driven by a logic signal, VIH=1.65V. That is, VPP must
remain above 1.65V to perform in-system flash update/
modifications.
7.1 Protection Under VPP<VPPLK
VPP can off additional hardware write protection. The
VPP programming voltage can be kept low for the abso-
lute hardware protection of all sector in the flash device.
As VPP is below VPPLK, any program or erase opera-
tion will result in a error, prompting the corresponding
status register bit (SR.3) to be set.
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PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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| MX28F640C3BTI-12 | 制造商:MCNIX 制造商全稱:Macronix International 功能描述:64M-BIT [4M x16] CMOS SINGLE VOLTAGE 3V ONLY FLASH MEMORY |
| MX28F640C3BTI-90 | 制造商:MCNIX 制造商全稱:Macronix International 功能描述:64M-BIT [4M x16] CMOS SINGLE VOLTAGE 3V ONLY FLASH MEMORY |
| MX28F640C3BTTC-12 | 制造商:MCNIX 制造商全稱:Macronix International 功能描述:64M-BIT [4M x16] CMOS SINGLE VOLTAGE 3V ONLY FLASH MEMORY |
| MX28F640C3BTTC-90 | 制造商:MCNIX 制造商全稱:Macronix International 功能描述:64M-BIT [4M x16] CMOS SINGLE VOLTAGE 3V ONLY FLASH MEMORY |
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