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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MX28F640C3BTC-12 |
| 廠商： | MACRONIX INTERNATIONAL CO LTD |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 64M-BIT [4M x16] CMOS SINGLE VOLTAGE 3V ONLY FLASH MEMORY |
| 中文描述： | 4M X 16 FLASH 3V PROM, 120 ns, PDSO48 |
| 封裝： | 12 X 20 MM, MO-142, TSOP1-48 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 23/44頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 653K |
| 代理商： | MX28F640C3BTC-12 |
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23
P/N:PM0900
MX28F640C3T/B
REV. 0.6, AUG. 20, 2003
6.2.3 AC Characteristic -- Read Only Operation (1)
-90
Min.
90
-110
Min.
110
Sym.
tAVAV
tAVQV
tELQV
tGLQV
tPHQV
tELQX
tGLQX
tEHQZ
tGHQZ
tOH
Parameter
Read Cycle Time
Address to Output Delay
CE to Output Delay
OE to Output Delay
RESET to Output Delay
CE to Output in Low Z
OE to Output in Low Z
CE to Output in High Z
OE to Output in High Z
Output Hold from Address,
CE, or OE Change,
Whichever Occurs First
Notes
Max.
Max.
Unit
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
90
90
30
150
110
110
30
150
2
2
3
3
3
3
3
0
0
0
0
20
20
20
20
0
0
Notes:
1. See AC Waveform: Read Operations.
2. OE may be delayed up to tELQV-tGLQV after the falling edge of CE without impact on tELQV.
3. Sampled, but not 100% tested.
4. See test Configuration.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MX28F640C3BTC-90 | 64M-BIT [4M x16] CMOS SINGLE VOLTAGE 3V ONLY FLASH MEMORY |
| MX28F640C3BTI-12 | 64M-BIT [4M x16] CMOS SINGLE VOLTAGE 3V ONLY FLASH MEMORY |
| MX28F640C3BTI-90 | 64M-BIT [4M x16] CMOS SINGLE VOLTAGE 3V ONLY FLASH MEMORY |
| MX28F640C3BXAC-12 | 64M-BIT [4M x16] CMOS SINGLE VOLTAGE 3V ONLY FLASH MEMORY |
| MX28F640C3BXAC-90 | 64M-BIT [4M x16] CMOS SINGLE VOLTAGE 3V ONLY FLASH MEMORY |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MX28F640C3BTC-90 | 制造商:MCNIX 制造商全稱:Macronix International 功能描述:64M-BIT [4M x16] CMOS SINGLE VOLTAGE 3V ONLY FLASH MEMORY |
| MX28F640C3BTI-12 | 制造商:MCNIX 制造商全稱:Macronix International 功能描述:64M-BIT [4M x16] CMOS SINGLE VOLTAGE 3V ONLY FLASH MEMORY |
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