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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MT58L512Y36FT-8.5 |
| 廠商： | CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | SRAM |
| 英文描述： | 512K X 36 CACHE SRAM, 8.5 ns, PQFP100 |
| 封裝： | PLASTIC, TQFP-100 |
| 文件頁數(shù)： | 23/34頁 |
| 文件大?。?/td> | 537K |
| 代理商： | MT58L512Y36FT-8.5 |
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18Mb: 1 MEG x 18, 512K x 32/36
FLOW-THROUGH SYNCBURST SRAM
18Mb: 1 Meg x 18, 512K x 32/36, Flow-Through SyncBurst SRAM
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
MT58L1MY18F_16_D.fm – Rev. D, Pub. 2/03
3
2003 Micron Technology, Inc.
Figure 3: Functional Block Diagram
1 Meg x 18
Figure 4: Functional Block Diagram
512K x 32/36
NOTE:
Functional block diagrams illustrate simplified device operation. See truth tables, pin/ball descriptions, and tim-
ing diagrams for detailed information.
DQs
DQPa
DQPb
ADDRESS
REGISTER
ADV#
CLK
BINARY
COUNTER AND
LOGIC
CLR
Q1
Q0
ADSC#
20
18
20
CE#
ENABLE
REGISTER
2
OE#
SENSE
AMPS
MEMORY
ARRAY
ADSP#
OUTPUT
BUFFERS
INPUT
REGISTERS
2
MODE
CE2
CE2#
GW#
BWE#
SA0, SA1, SAs
BWb#
BWa#
BYTE “b”
WRITE REGISTER
BYTE “a”
WRITE REGISTER
SA0'
SA1'
SA0-SA1
BYTE “b”
WRITE DRIVER
BYTE “a”
WRITE DRIVER
18
9
DQs
DQPa
DQPb
DQPc
DQPd
ADDRESS
REGISTER
ADV#
CLK
BINARY
COUNTER
AND LOGIC
CLR
Q1
Q0
ADSP#
ADSC#
19
17
19
CE#
CE2
CE2#
OE#
ENABLE
REGISTER
4
SENSE
AMPS
OUTPUT
BUFFERS
INPUT
REGISTERS
512K x 8 x 4
(x32)
512K x 9 x 4
(x36)
MEMORY
ARRAY
MODE
BWE#
GW#
BWd#
BWc#
BWb#
BWa#
BYTE “d”
WRITE REGISTER
BYTE “c”
WRITE REGISTER
BYTE “b”
WRITE REGISTER
BYTE “a”
WRITE REGISTER
BYTE “b”
WRITE DRIVER
BYTE “c”
WRITE DRIVER
BYTE “d”
WRITE DRIVER
SA0, SA1, SAs
SA0'
SA1'
SA0-SA1
BYTE “a”
WRITE DRIVER
36
9
36
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