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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MT48V4M32LFFC |
| 廠商： | Micron Technology, Inc. |
| 英文描述： | SYNCHRONOUS DRAM |
| 中文描述： | 同步DRAM |
| 文件頁數(shù)： | 6/61頁 |
| 文件大?。?/td> | 1400K |
| 代理商： | MT48V4M32LFFC |
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6
128Mb: x16, x32 Mobile SDRAM
MobileY95W_3V_F.p65 – Rev. F; Pub. 9/02
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
2002, Micron Technology, Inc.
128Mb: x16, x32
MOBILE SDRAM
ADVANCE
FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM
4 Meg x 32 SDRAM
12
RAS#
CAS#
CLK
CS#
WE#
CKE
8
A0–A11,
BA0, BA1
DQM0–
14
256
(x32)
8192
I/O GATING
DQM MASK LOGIC
READ DATA LATCH
WRITE DRIVERS
COLUMN
DECODER
BANK0
MEMORY
(4,09ARRAY
BANK0
AROW-
LATCH
&
DECODER
4096
SENSE AMPLIFIERS
BANK
CONTROL
LOGIC
DQ0–
DQ31
32
32
DATA
REGISTER
DATA
OUTPUT
REGISTER
32
BANK1
BANK0
BANK2
BANK3
12
8
2
4
4
2
REFRESH
COUNTER
12
12
MODE REGISTER
CLOGIC
C
D
ROW-
ADDRESS
MUX
ADDRESS
COLUMN-
ADDRESS
COUNTER/
LATCH
BA1
0
0
1
1
BA0
0
1
0
1
Bank
0
1
2
3
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MT49H16M16 | THERMISTOR PTC 100OHM 110DEG RAD |
| MT49H16M16FM | REDUCED LATENCY DRAM RLDRAM |
| MT49H8M32 | THERMISTOR PTC 100OHM 120DEG RAD |
| MT49H8M32FM | REDUCED LATENCY DRAM RLDRAM |
| MT4C1M16E5DJ-6 | EDO DRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|
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