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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MT48V4M32LFFC |
| 廠商： | Micron Technology, Inc. |
| 英文描述： | SYNCHRONOUS DRAM |
| 中文描述： | 同步DRAM |
| 文件頁數(shù)： | 5/61頁 |
| 文件大小： | 1400K |
| 代理商： | MT48V4M32LFFC |
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5
128Mb: x16, x32 Mobile SDRAM
MobileY95W_3V_F.p65 – Rev. F; Pub. 9/02
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
2002, Micron Technology, Inc.
128Mb: x16, x32
MOBILE SDRAM
ADVANCE
FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM
8 Meg x16 SDRAM
12
RAS#
CAS#
ROW-
ADDRESS
MUX
CLK
CS#
WE#
CKE
CONTROL
LOGIC
COLUMN-
ADDRESS
COUNTER/
LATCH
MODE REGISTER
9
C
D
A0-A11,
BA0, BA1
DQML,
DQMH
12
ADDRESS
REGISTER
14
512
(x16)
4096
I/O GATING
DQM MASK LOGIC
RWRITE DRIVERS
COLUMN
DECODER
BANK0
MEMORY
ARRAY
(4,096 x 512 x 16)
BANK0
ROW-
ADDRESS
LATCH
DEC&
4096
SENSE AMPLIFIERS
CBANK
LOGIC
DQ0-
DQ15
16
16
DATA
INPUT
REGISTER
DATA
OUTPUT
REGISTER
16
12
BANK1
BANK2
BANK3
12
9
2
2
2
2
REFRESH
COUNTER
BA1
0
0
1
1
BA0
0
1
0
1
Bank
0
1
2
3
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MT49H16M16 | THERMISTOR PTC 100OHM 110DEG RAD |
| MT49H16M16FM | REDUCED LATENCY DRAM RLDRAM |
| MT49H8M32 | THERMISTOR PTC 100OHM 120DEG RAD |
| MT49H8M32FM | REDUCED LATENCY DRAM RLDRAM |
| MT4C1M16E5DJ-6 | EDO DRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|
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