參數(shù)資料
型號(hào): MT47H128M8HQ-3AT
元件分類: DRAM
英文描述: 128M X 8 DDR DRAM, 0.4 ns, PBGA60
封裝: 8 X 11.50 MM, ROHS COMPLIANT, FBGA-60
文件頁(yè)數(shù): 55/129頁(yè)
文件大?。?/td> 9252K
代理商: MT47H128M8HQ-3AT
第1頁(yè)第2頁(yè)第3頁(yè)第4頁(yè)第5頁(yè)第6頁(yè)第7頁(yè)第8頁(yè)第9頁(yè)第10頁(yè)第11頁(yè)第12頁(yè)第13頁(yè)第14頁(yè)第15頁(yè)第16頁(yè)第17頁(yè)第18頁(yè)第19頁(yè)第20頁(yè)第21頁(yè)第22頁(yè)第23頁(yè)第24頁(yè)第25頁(yè)第26頁(yè)第27頁(yè)第28頁(yè)第29頁(yè)第30頁(yè)第31頁(yè)第32頁(yè)第33頁(yè)第34頁(yè)第35頁(yè)第36頁(yè)第37頁(yè)第38頁(yè)第39頁(yè)第40頁(yè)第41頁(yè)第42頁(yè)第43頁(yè)第44頁(yè)第45頁(yè)第46頁(yè)第47頁(yè)第48頁(yè)第49頁(yè)第50頁(yè)第51頁(yè)第52頁(yè)第53頁(yè)第54頁(yè)當(dāng)前第55頁(yè)第56頁(yè)第57頁(yè)第58頁(yè)第59頁(yè)第60頁(yè)第61頁(yè)第62頁(yè)第63頁(yè)第64頁(yè)第65頁(yè)第66頁(yè)第67頁(yè)第68頁(yè)第69頁(yè)第70頁(yè)第71頁(yè)第72頁(yè)第73頁(yè)第74頁(yè)第75頁(yè)第76頁(yè)第77頁(yè)第78頁(yè)第79頁(yè)第80頁(yè)第81頁(yè)第82頁(yè)第83頁(yè)第84頁(yè)第85頁(yè)第86頁(yè)第87頁(yè)第88頁(yè)第89頁(yè)第90頁(yè)第91頁(yè)第92頁(yè)第93頁(yè)第94頁(yè)第95頁(yè)第96頁(yè)第97頁(yè)第98頁(yè)第99頁(yè)第100頁(yè)第101頁(yè)第102頁(yè)第103頁(yè)第104頁(yè)第105頁(yè)第106頁(yè)第107頁(yè)第108頁(yè)第109頁(yè)第110頁(yè)第111頁(yè)第112頁(yè)第113頁(yè)第114頁(yè)第115頁(yè)第116頁(yè)第117頁(yè)第118頁(yè)第119頁(yè)第120頁(yè)第121頁(yè)第122頁(yè)第123頁(yè)第124頁(yè)第125頁(yè)第126頁(yè)第127頁(yè)第128頁(yè)第129頁(yè)
Table 11: AC Operating Specifications and Conditions (Continued)
Not all speed grades listed may be supported for this device; refer to the title page for speeds supported; Notes: 1–5 apply to the entire table;
VDDQ = +1.5–1.9V, VDD = +1.5–1.9V
AC Characteristics
-25E
-25
-3E
-3
-37E
Units
Notes
Parameter
Symbol
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Data-Out
DQ output access time
from CK/CK#
tAC
–400
+400
–400
+400
–450
+450
–450
+450
–500
+500
ps
DQS–DQ skew, DQS to
last DQ valid,
per group,
per access
tDQSQ
200
200
240
240
300
ps
DQ hold from next DQS
strobe
tQHS
300
300
340
340
400
ps
DQ–DQS hold, DQS to
first DQ not valid
tQH
MIN = tHP - tQHS
MAX = n/a
ps
CK/CK# to DQ, DQS
High-Z
tHZ
MIN = n/a
MAX = tAC (MAX)
ps
CK/CK# to DQ Low-Z
tLZ2
MIN = 2 × tAC (MIN)
MAX = tAC (MAX)
ps
Data valid output
window
DVW
MIN = tQH - tDQSQ
MAX = n/a
ns
Data-In
DQ and DM input setup
time to DQS
tDSb
50
50
100
100
100
ps
DQ and DM input hold
time to DQS
tDHb
125
125
175
175
225
ps
DQ and DM input setup
time to DQS
tDSa
250
250
300
300
350
ps
DQ and DM input hold
time to DQS
tDHa
250
250
300
300
350
ps
DQ and DM input pulse
width
tDIPW
MIN = 0.35 × tCK
MAX = n/a
tCK
1Gb:
x4,
x8,
x16
1.55V
DDR2
SDRAM
AC
Timing
Operating
Specifications
PDF:
09005aef82b91d01
1GbDDR2_1_55V.PDF
Rev.
A
5/09
EN
31
Micron
Technology,
Inc.
reserves
the
right
to
change
products
or
specifications
without
notice.
2009
Micron
Technology,
Inc.
All
rights
reserved.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MT47H64M16HR-3IT 64M X 16 DDR DRAM, 0.4 ns, PBGA84
MT48H8M16LFB4-8IT:JTR 8M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 6 ns, PBGA54
MT48LC4M32TG-10 4M X 32 SYNCHRONOUS DRAM, 7 ns, PDSO54
MT48V8M16LFB4-8XT 8M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 7 ns, PBGA54
MT48LC4M32LFB5-10ES:G 4M X 32 SYNCHRONOUS DRAM, 7 ns, PBGA90
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MT47H128M8HQ-3EAT 制造商:MICRON 制造商全稱:Micron Technology 功能描述:DDR2 SDRAM
MT47H128M8HQ-3EIT 制造商:MICRON 制造商全稱:Micron Technology 功能描述:DDR2 SDRAM
MT47H128M8HQ-3EL 制造商:MICRON 制造商全稱:Micron Technology 功能描述:DDR2 SDRAM
MT47H128M8HQ-3IT 制造商:MICRON 制造商全稱:Micron Technology 功能描述:DDR2 SDRAM