- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄299522 > MT46H32M32LGCM-5IT:A 32M X 32 DDR DRAM, 5 ns, PBGA90 PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | MT46H32M32LGCM-5IT:A |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 32M X 32 DDR DRAM, 5 ns, PBGA90 |
| 封裝： | 10 X 13 MM, GREEN, PLASTIC, VFBGA-90 |
| 文件頁數(shù)： | 60/95頁 |
| 文件大?。?/td> | 3231K |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁當前第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁第65頁第66頁第67頁第68頁第69頁第70頁第71頁第72頁第73頁第74頁第75頁第76頁第77頁第78頁第79頁第80頁第81頁第82頁第83頁第84頁第85頁第86頁第87頁第88頁第89頁第90頁第91頁第92頁第93頁第94頁第95頁
Figure 27: READ-to-WRITE
CK#
T0
T1
T2
T3
T2n
T3n
T4
T5
T1n
T4n
T5n
CK
CK#
T0
T1
T2
T3
T2n
T3n
T4
T5
T4n
T5n
CK
Don’t Care
Transitioning Data
Command
READ1
BST2
NOP
Address
Bank,
Col n
WRITE1
Bank,
Col b
DM
tDQSS
(NOM)
DQ3,4
DQS
CL = 2
Command
READ1
BST2
NOP
Address
Bank,
Col n
WRITE1
Bank,
Col b
DM
tDQSS
(NOM)
DQ3,4
DQS
CL = 3
NOP
DOUT
DIN
DOUT
DIN
Notes: 1. BL = 4 in the cases shown (applies for bursts of 8 and 16 as well; if BL = 2, the BST com-
mand shown can be NOP).
2. BST = BURST TERMINATE command; page remains open.
3. DOUTn = data-out from column n.
4. DINb = data-in from column b.
5. Shown with nominal tAC, tDQSCK, and tDQSQ.
6. CKE = HIGH.
1Gb: x16, x32 Mobile LPDDR SDRAM
READ Operation
PDF: 09005aef82ce3074
1gb_ddr_mobile_sdram_t48m.pdf - Rev. K 07/09 EN
63
Micron Technology, Inc. reserves the right to change products or specifications without notice.
2007 Micron Technology, Inc. All rights reserved.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MT46HC32M16LFCX-75:B | 32M X 16 DDR DRAM, 7.5 ns, PBGA90 |
| MT46HC32M16LGCM-54IT:B | 32M X 16 DDR DRAM, 5.4 ns, PBGA90 |
| MT47H32M16BT-37VL:A | 32M X 16 DDR DRAM, 0.5 ns, PBGA92 |
| MT47H64M16HQ-3IT:G | 64M X 16 DDR DRAM, 0.4 ns, PBGA60 |
| MT47H64M8CF-5EAT:F | DDR DRAM, PBGA60 |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。